Back to top
  • 공유 แชร์
  • 인쇄 พิมพ์
  • 글자크기 ขนาดตัวอักษร
ลิงก์ถูกคัดลอกแล้ว

ซัมซุง-แอลจี เร่งเข้าห่วงโซ่สับสเตรต EMIB-T ป้อนอินเทล

ชิป HBM และตัวอย่างสับสเตรตบรรจุภัณฑ์ / TokenPost.ai (mono)

ซัมซุงอิเล็คโทร-แมคานิคส์(Samsung Electro-Mechanics) และแอลจีอินโนเทค(LG Innotek) กำลังเร่งเดินหน้าเข้าสู่ห่วงโซ่การผลิตแพ็กเกจสับสเตรต(Package Substrate) สำหรับเทคโนโลยี EMIB-T ของอินเทล(INTC) โดยมีรายงานว่าทั้งสองบริษัทอยู่ระหว่างพัฒนาและทดสอบผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องแล้ว

ZDNet Korea รายงานเมื่อวันที่ 9 (เวลาท้องถิ่น) ว่า ซัมซุงอิเล็คโทร-แมคานิคส์พัฒนาตัวอย่างสับสเตรตสำหรับ EMIB มาต่อเนื่องหลายปี และขณะนี้กำลังผลักดันการผลิตสับสเตรตสำหรับ EMIB-T ภายใต้แนวคิดแพ็กเกจจิ่งแบบ 2.1D ส่วนแอลจีอินโนเทคส่งตัวอย่างสับสเตรตสำหรับ EMIB-T ให้เอสเคไฮนิกซ์(SK Hynix) เพื่อประเมินคุณสมบัติร่วมกับหน่วยความจำ HBM ที่ติดตั้งอยู่ด้วยแล้ว

EMIB-T คือโครงสร้างที่ต่อยอดจากเทคโนโลยีแพ็กเกจจิ่งแบบ 2.5D ของอินเทลที่เรียกว่า EMIB โดยเพิ่มช่องเชื่อมต่อไฟฟ้าแนวตั้งผ่านซิลิคอน(TSV) เพื่อรองรับการจ่ายพลังงาน มีรายงานว่ากูเกิล(Google, GOOGL) วางแผนนำ EMIB-T ไปใช้ในชิป TPU รุ่นใหม่ที่คาดเปิดตัวช่วงครึ่งหลังของปี 2027 ขณะที่อิบิเดน(Ibiden) รายงานว่าเตรียมลงทุนราว 2 ล้านล้านวอนเพื่อสร้างสายการผลิตเฉพาะสำหรับสับสเตรตดังกล่าว อ่านรายงานเทคโนโลยี EMIB-T เพิ่มเติม

<ลิขสิทธิ์ ⓒ TokenPost ห้ามเผยแพร่หรือแจกจ่ายซ้ำโดยไม่ได้รับอนุญาต>

บทความที่มีคนดูมากที่สุด

บทความที่เกี่ยวข้อง

ความคิดเห็น 0

ข้อแนะนำสำหรับความคิดเห็น

ขอบคุณสำหรับบทความดี ๆ ต้องการบทความติดตามเพิ่มเติม เป็นการวิเคราะห์ที่ยอดเยี่ยม

0/1000

ข้อแนะนำสำหรับความคิดเห็น

ขอบคุณสำหรับบทความดี ๆ ต้องการบทความติดตามเพิ่มเติม เป็นการวิเคราะห์ที่ยอดเยี่ยม
1