ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์(Samsung Electronics, 005930) ตั้งเป้าพัฒนา 3D Cube-H เสร็จต้นปี 2027 ก่อนประเมินกับลูกค้า

ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์วางแผนพัฒนา 3D Cube-H สำหรับเซมิคอนดักเตอร์ AI และจัดทำชุดเครื่องมือออกแบบชุดแรกให้เสร็จภายในต้นปี 2027 ก่อนให้ลูกค้าที่มีศักยภาพประเมินเทคโนโลยีดังกล่าว

MarsBit รายงานกำหนดการนี้เมื่อวันที่ 10 เวลา 15:50 น. ตามเวลาเกาหลี

3D Cube-H เป็นเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ชิปที่เชื่อมต่อชิปซึ่งซ้อนกันในแนวตั้งด้วยไฮบริดบอนดิง แนวทางที่มีการเสนอ ได้แก่ การซ้อนชิปประมวลผลอย่าง GPU หรือเชื่อมชิปประมวลผลเข้ากับชิปหน่วยความจำ เช่น หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) เพื่อนำไปใช้กับเซมิคอนดักเตอร์ AI ประสิทธิภาพสูง

3D Cube-T ที่ซัมซุงพัฒนาก่อนหน้านี้ใช้การเชื่อมต่อแบบอัดด้วยความร้อน ส่วน 3D Cube-H ที่อยู่ระหว่างพัฒนาใช้ไฮบริดบอนดิง รายงานระบุว่าระยะห่างขั้นต่ำระหว่างขั้วเชื่อมต่ออยู่ที่ประมาณ 25 ไมโครเมตรสำหรับวิธีอัดด้วยความร้อน และประมาณ 6 ไมโครเมตรสำหรับ 3D Cube-H ไฮบริดบอนดิงเชื่อมทองแดงระหว่างชิปเข้าด้วยกันโดยตรง จึงอาจเพิ่มความหนาแน่นของการเชื่อมต่อและลดพลังงานต่อบิตได้ อีกทั้งมีคุณสมบัติด้านการจัดการความร้อนต่างจากวิธีอัดด้วยความร้อน ตัวเลขทั้งสองเป็นระยะห่างระหว่างขั้วเชื่อมต่อ ไม่ใช่ค่าการวัดประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์สำเร็จรูป

3D Cube-H เชื่อมชิปที่ผลิตแยกกันในขั้นตอนบรรจุภัณฑ์ จึงต่างจาก 3D DRAM ที่ซ้อนเซลล์หน่วยความจำในแนวตั้ง ก่อนหน้านี้ SK hynix ระบุว่าความร้อน การเชื่อมต่อระดับละเอียด และการผสานกระบวนการเป็นโจทย์ในการทำ 3D DRAM เชิงพาณิชย์