Groq เล็งใช้ DRAM แบบซ้อน 3 มิติแทน SRAM ในชิปรุ่นถัดไป

Groq บริษัทเซมิคอนดักเตอร์ด้าน AI กำลังพิจารณานำเทคโนโลยีแพ็กเกจจิ้ง DRAM แบบซ้อน 3 มิติ (3D) มาใช้กับชิปรุ่นถัดไป โดยจะใช้ DRAM แทน SRAM ที่ชิปรุ่นปัจจุบันใช้อยู่

ZDNet Korea รายงานว่า Groq กำลังมองการใช้ DRAM แบบซ้อน 3 มิติเป็นหนึ่งในทางเลือก ขณะที่คนในวงการตีความว่าเป็นความพยายามถอยจากการออกแบบชิปที่เน้น SRAM เพื่อเพิ่มความจุของชิปให้มากขึ้นอย่างก้าวกระโดด อย่างไรก็ตาม เรื่องนี้ไม่ใช่ข้อมูลที่ Groq ประกาศอย่างเป็นทางการ

แม้ SRAM และ DRAM จะเป็นหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์เหมือนกัน แต่คุณสมบัติต่างกัน SRAM ทำงานเร็ว แต่เก็บข้อมูลได้จำกัด ส่วน DRAM ความเร็วค่อนข้างต่ำกว่า แต่เหมาะกับการสร้างชิปความจุสูง การเปลี่ยนครั้งนี้จึงเท่ากับย้ายน้ำหนักจากการออกแบบที่เน้นความเร็ว ไปสู่การออกแบบที่เน้นความจุ

เทคโนโลยีแพ็กเกจจิ้ง 3 มิติ คือการนำชิปหลายตัวมาซ้อนกันในแนวตั้งให้กลายเป็นชิปเดียว แทนการวางเรียงบนพื้นราบ ZDNet Korea อธิบายว่าวิธีนี้ช่วยลดพื้นที่ผิวของชิปและเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานได้ดีกว่าแพ็กเกจจิ้ง 2 มิติแบบเดิม

DRAM แบบซ้อน 3 มิติยังเป็นด้านที่ผู้ผลิตรายอื่นเตรียมพัฒนาอยู่เช่นกัน เอสเค ไฮนิกซ์ (SK하이닉스) ระบุในงานฟอรัมอนาคตเมื่อวันที่ 8 ว่าอุปสรรคต่อการผลิตเชิงพาณิชย์ของ 3D DRAM คือความร้อน การเชื่อมต่อขนาดจิ๋ว และการรวมกระบวนการผลิต คิม คยองฮุน (Kyunghoon Kim) รองประธานบริษัทเอสเค ไฮนิกซ์ กล่าวว่า "หากจะทำ DRAM แบบซ้อน 3 มิติให้เป็นผลิตภัณฑ์จริง นอกจากการปรับการออกแบบให้เหมาะสมแล้ว ยังต้องแก้โจทย์ทางเทคนิคที่ต่างจากในอดีต เช่น ความร้อนและความซับซ้อนของกระบวนการ" ซึ่งสะท้อนว่าเส้นทางสู่การผลิตจริงยังมีงานรออยู่อีกมาก

สำหรับกำหนดการผลิตจำนวนมากและสเปกผลิตภัณฑ์ของ 3D DRAM ทางเอสเค ไฮนิกซ์ยังไม่เปิดเผยรายละเอียดเช่นกัน