รายงานชี้ราพิดัส (Rapidus) ยังสร้าง SRAM ที่ทำงานได้ไม่สำเร็จ เป้าผลิตชิป 2 นาโนเมตรอาจล่าช้า

เป้าหมายของราพิดัส (Rapidus) ที่จะเริ่มผลิตชิป 2 นาโนเมตรจำนวนมากภายในเดือนมีนาคม 2028 อาจเผชิญความล่าช้า หลังมีรายงานว่าบริษัทยังสร้างเซลล์ SRAM ที่ทำงานได้ไม่สำเร็จ

บลูมเบิร์ก (Bloomberg) รายงานเมื่อวันที่ 10 โดยอ้างแหล่งข่าวที่ไม่เปิดเผยชื่อว่า ราพิดัสยังไม่สามารถสร้างเซลล์ SRAM ที่ทำงานได้ แหล่งข่าวระบุว่าบริษัทไม่ได้เทคโนโลยีการผลิต SRAM ที่มีเสถียรภาพตามความจำเป็นต่อการผลิตจำนวนมากภายในฤดูร้อน ทำให้กำหนดการช้ากว่าแผนอย่างน้อยหลายเดือน นอกจากนี้ การควบคุมฝุ่นและอนุภาคขนาดเล็กในห้องคลีนรูมของโรงงานยังเป็นความท้าทาย

ชิป logic ระดับ 2 นาโนเมตรมีเซลล์ SRAM อยู่ภายในหลายร้อยล้านเซลล์ โครงสร้างทรานซิสเตอร์ของแต่ละเซลล์ต้องสร้างซ้ำได้อย่างแม่นยำถึงระดับอะตอม เพื่อให้ชิปทำงานได้อย่างเสถียรและจัดเก็บข้อมูลได้ การตรวจสอบการทำงานทางไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์เป็นคนละขั้นตอนกับการสร้างเซลล์ SRAM จำนวนมากให้ทำงานได้อย่างเสถียร

ราพิดัสเริ่มเดินสายการผลิตทดลองที่โรงงาน IIM-1 ในเมืองชิโตเสะ จังหวัดฮอกไกโด เมื่อเดือนเมษายน 2025 และระบุในประวัติบริษัทว่าได้ยืนยันคุณสมบัติทางไฟฟ้าของต้นแบบทรานซิสเตอร์ GAA ขนาด 2 นาโนเมตรในเดือนกรกฎาคมปีเดียวกัน วันที่ 5 ตุลาคม บริษัทเปิดเผยเครือข่ายความร่วมมือกับบริษัทออกแบบ 17 แห่ง เพื่อสนับสนุนการออกแบบเบื้องต้นของลูกค้า การเปิดเผยเครือข่ายดังกล่าวเป็นคนละขั้นตอนกับการพัฒนาเซลล์ SRAM

โฆษกของบริษัทกล่าวว่า “เรายังคงทุ่มเทอย่างเต็มที่เพื่อเริ่มการผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปีงบประมาณ 2027” ราพิดัสระบุว่ารายละเอียดการพัฒนาเทคโนโลยีเป็นความลับ และกล่าวว่าผู้เชี่ยวชาญภายนอกที่หน่วยงานรัฐบาลแต่งตั้งประเมินในเดือนกันยายนว่าการพัฒนายังดำเนินอยู่