ข่าว 
ข้อมูลเหรียญ 
แนะนำสื่อ 
คิออกเซีย (Kioxia) เริ่มปรับพื้นที่สำหรับอาคารผลิตแห่งที่ 3 หรือ K3 ที่โรงงานคิตะคามิ จังหวัดอิวาเตะ ประเทศญี่ปุ่น เพื่อขยายกำลังการผลิตหน่วยความจำแฟลชสามมิติ 'BiCS Flash' โดยตั้งเป้าเริ่มเดินสายการผลิตในปีงบประมาณ 2029
คิออกเซียแถลงเมื่อวันที่ 27 (เวลาท้องถิ่น) ว่าจะสร้าง K3 บนพื้นที่ทางใต้ของอาคาร K2 ซึ่งเป็นอาคารผลิตแห่งที่ 2 ที่มีอยู่เดิม ส่วนกำหนดเวลาก่อสร้างที่ชัดเจนและขนาดการลงทุนด้านอุปกรณ์การผลิตยังไม่ระบุ โดยบริษัทจะพิจารณาจากสถานการณ์ตลาดอีกครั้ง
การลงทุนใน K3 มีเงื่อนไขว่าต้องได้รับการสนับสนุนจากรัฐบาลญี่ปุ่น บริษัทระบุว่า K3 จำเป็นต่อการขยายการผลิตหน่วยความจำแฟลชระดับล้ำสมัยและสร้างฐานอุปทานที่มั่นคง
การแถลงครั้งนี้เกิดขึ้นหลังจากที่คิออกเซียออกมาปฏิเสธรายงานข่าวเกี่ยวกับการลงทุนสร้างอาคารใหม่ที่คิตะคามิ โดยระบุว่า "ไม่ใช่เนื้อหาที่บริษัทและบริษัทในเครือเป็นผู้ประกาศ" ทั้งนี้บริษัทยอมรับว่ากำลังพิจารณาหลายแนวทางเกี่ยวกับการก่อสร้างอาคารใหม่อยู่จริง ก่อนจะประกาศเริ่มปรับพื้นที่ K3 อย่างเป็นทางการในเวลาต่อมา
ก่อนหน้านี้ แผนขยายอาคารแห่งที่ 3 ที่คิตะคามิยังไม่ใช่แผนก่อสร้างที่ยืนยันแน่นอน แต่ถูกจัดอยู่ในสถานะตัวเลือกขยายกำลังการผลิตที่พิจารณาตามการเติบโตของตลาด การแถลงครั้งนี้ทำให้ แผนขยายอาคารแห่งที่ 3 ที่คิตะคามิซึ่งเคยอยู่ระหว่างการพิจารณา ก้าวเข้าสู่ขั้นตอนปรับพื้นที่ก่อสร้างแล้ว
คิออกเซียและแซนดิสก์(SNDK) ระบุในแถลงการณ์แยกกันว่าคาดว่าทั้งสองบริษัทจะลงทุนในญี่ปุ่นรวมกันมากกว่า 3.1 หมื่นล้านดอลลาร์ (ประมาณ 4.29 ล้านล้านวอน) ภายในปี 2032 ทั้งนี้ยอดเงินดังกล่าวไม่ได้จำกัดเฉพาะการลงทุนใน K3 เพียงแห่งเดียว
ทั้งสองบริษัทระบุว่าแผนการลงทุนดังกล่าวครอบคลุมอุปกรณ์การผลิต โครงสร้างพื้นฐานที่เกี่ยวข้อง และการเสริมความแข็งแกร่งด้านเทคโนโลยีของทั้งโรงงานยกไกจิและโรงงานคิตะคามิ ซึ่งเป็นการขยายฐานอุปทานหน่วยความจำแนนด์เพื่อรองรับความต้องการจัดเก็บข้อมูลที่เพิ่มขึ้นในระยะยาว
BiCS Flash คือเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชสามมิติของคิออกเซีย หน่วยความจำแนนด์แฟลชเป็นหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนที่ข้อมูลยังคงอยู่แม้ปิดเครื่อง ใช้งานในดาต้าเซ็นเตอร์ เซิร์ฟเวอร์ และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลบนมือถือ
การขยายโครงสร้างพื้นฐานด้าน AI ไม่ได้เกี่ยวข้องแค่กับชิปประมวลผลกราฟิก (GPU) เท่านั้น แต่ยังเชื่อมโยงกับความต้องการอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลด้วย เพราะการเรียนรู้และการประมวลผล AI ขนาดใหญ่ต้องอาศัยหน่วยความจำแนนด์และ SSD ระดับองค์กรที่อ่านเขียนข้อมูลได้รวดเร็ว
คิออกเซียระบุในแถลงการณ์ ณ วันที่ 27 ว่ามองว่าตลาดหน่วยความจำแฟลชจะเติบโตในระยะกลางถึงระยะยาว ตามการขยายตัวของการใช้งาน AI เชิงเอเจนต์ (agentic AI), Physical AI และ On-device AI ในสังคม จึงต้องการขยายการผลิตหน่วยความจำแฟลชระดับล้ำสมัยผ่าน K3 เพื่อสร้างความมั่นคงด้านอุปทาน
ฮิโรโอะ โอตะ (Hiroo Ota) ประธานคิออกเซีย กล่าวในแถลงการณ์ว่า "การประกาศครั้งนี้ตอกย้ำความร่วมมือระยะยาวกับแซนดิสก์ให้แน่นแฟ้นยิ่งขึ้น และแสดงให้เห็นความตั้งใจของคิออกเซียที่จะมีส่วนร่วมในการพัฒนาสังคม AI" พร้อมกล่าวขอบคุณรัฐบาลญี่ปุ่นสำหรับการสนับสนุนที่ผ่านมา และย้ำว่าการสนับสนุนเชิงกลยุทธ์อย่างต่อเนื่องมีความสำคัญ
เดวิด เกิคเลอร์ (David Goeckeler) ประธานและซีอีโอของแซนดิสก์ กล่าวว่า "แผนการลงทุนครั้งนี้เป็นก้าวสำคัญในการตอบสนองความต้องการด้านเทคโนโลยีที่เพิ่มขึ้นของลูกค้า" ทั้งนี้ทั้งสองบริษัทได้ขยายสัญญาร่วมทุนโรงงานยกไกจิออกไปจนถึงเดือนธันวาคม 2034 เมื่อเดือนมกราคมที่ผ่านมา
ความร่วมมือระหว่างสองบริษัทเน้นไปที่การพัฒนาและผลิตเวเฟอร์หน่วยความจำแนนด์แฟลชเป็นหลัก การปรับพื้นที่ K3 ถูกมองว่าเป็นขั้นตอนที่เสริมศักยภาพในการรองรับความต้องการระยะยาวให้กับเครือข่ายการผลิตที่ยกไกจิและคิตะคามิที่มีอยู่เดิม
โรงงานคิตะคามิถือเป็นฐานการผลิตหน่วยความจำแนนด์รุ่นใหม่ของคิออกเซีย ทิศทางการลงทุนของคิออกเซียมุ่งเป้าทั้งการฟื้นตัวของตลาดแนนด์และความต้องการจากดาต้าเซ็นเตอร์ AI ไปพร้อมกัน ซึ่งการประกาศ K3 อย่างเป็นทางการครั้งนี้ถือเป็นความต่อเนื่องจากแผนขยายกำลังการผลิตเดิม
จากนี้ไปกำหนดเวลาก่อสร้าง K3 จริงและขนาดการลงทุนด้านอุปกรณ์จะขึ้นอยู่กับสถานการณ์ตลาดและเงื่อนไขการสนับสนุนจากรัฐบาลญี่ปุ่น โดยกำหนดการที่บริษัทยืนยันแน่ชัดในขณะนี้คือเป้าหมายเริ่มเดินสายการผลิตในปีงบประมาณ 2029
ความคิดเห็น 0