ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์พิจารณาขยายกำลังผลิต 4 นาโนเมตร รับความต้องการ HBM4

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์กำลังพิจารณาขยายกำลังการผลิตเซมิคอนดักเตอร์แบบฟาวน์ดรี เพื่อตอบสนองความต้องการโลจิกเบสดายขนาด 4 นาโนเมตรสำหรับ HBM4

มันนี่ทูเดย์ (머니투데이) รายงานเมื่อวันที่ 21 ว่า ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์กำลังพิจารณาขยายกระบวนการผลิต 4 นาโนเมตร หลังความต้องการ HBM4 เพิ่มขึ้น โดย HBM4 ของซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ประกอบด้วย 1c DRAM รุ่นที่ 6 ระดับ 10 นาโนเมตร และโลจิกเบสดายที่ผลิตด้วยกระบวนการ 4 นาโนเมตร

เบสดายของ HBM4 ทำหน้าที่เป็นชั้นเชื่อมต่อเพื่อช่วยแลกเปลี่ยนข้อมูลระหว่าง GPU กับตัวเร่งความเร็ว AI สายการผลิต 4 นาโนเมตรของซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์มีอัตราการใช้กำลังการผลิตอยู่ในระดับสูง และมีรายงานว่ามากกว่าครึ่งหนึ่งของกำลังการผลิตถูกจัดสรรให้กับเบสดายของ HBM4

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ยังพิจารณานำเบสดายขนาด 4 นาโนเมตรมาใช้กับ HBM4E รวมถึงใช้กระบวนการ 2 นาโนเมตรที่มีโครงสร้าง GAA สำหรับ HBM5