มูลค่า D램 1b ต่อพื้นที่สูงกว่า TSMC N2 ถึง 54%

มูลค่าการขายต่อพื้นที่ 1 ตารางมิลลิเมตรของ D램 กระบวนการผลิต 1b รุ่นล่าสุดคำนวณได้ว่าสูงกว่าราคาหน้าโรงงานต่อพื้นที่ของเวเฟอร์ TSMC 2 นาโนเมตร (N2) ราว 54% โดยความต้องการปัญญาประดิษฐ์ (AI) ที่รักษาราคา D램ให้อยู่ในระดับสูงส่งผลให้มูลค่าต่อพื้นที่ของกระบวนการผลิตหน่วยความจำรุ่นใหม่เพิ่มขึ้นด้วย

Kernel Insight สถาบันวิเคราะห์เซมิคอนดักเตอร์เปิดเผยเมื่อวันที่ 24 ว่า มูลค่าต่อพื้นที่ของ D램 กระบวนการผลิตรุ่นล่าสุดแซงหน้าราคาเวเฟอร์ TSMC N2 และ N3 แล้ว โดยประเมินราคาเวเฟอร์ขนาด 300 มิลลิเมตรของ TSMC อยู่ที่ 20,000 ดอลลาร์(ประมาณ 27.3 ล้านวอน)สำหรับ N3 และ 30,000 ดอลลาร์(ประมาณ 40.95 ล้านวอน)สำหรับ N2 เมื่อหารด้วยพื้นที่ทั้งหมดของเวเฟอร์ ราคาหน้าโรงงานต่อ 1 ตารางมิลลิเมตรอยู่ที่ 0.283 ดอลลาร์(ประมาณ 386 วอน)สำหรับ N3 และ 0.424 ดอลลาร์(ประมาณ 579 วอน)สำหรับ N2 การคำนวณนี้ยังไม่ได้สะท้อนการสูญเสียบริเวณขอบเวเฟอร์ การสูญเสียจากการตัด อัตราผลผลิต และข้อบกพร่อง โดยตัวเลขที่เกี่ยวข้องได้รับการยืนยันในระดับเดียวกันจากรายงานในประเทศด้วย

Kernel Insight ตั้งสมมติฐานราคาดีแรมไว้ที่ 1.50 ดอลลาร์(ประมาณ 2,048 วอน)ต่อ 1Gb และนำความหนาแน่นบิตของแต่ละรุ่นมาใช้ ผลการคำนวณพบว่า D램 1y มีมูลค่าต่อ 1 ตารางมิลลิเมตรอยู่ที่ 0.329 ดอลลาร์(ประมาณ 449 วอน) รุ่น 1z อยู่ที่ 0.410 ดอลลาร์(ประมาณ 560 วอน) และรุ่น 1b อยู่ที่ 0.654 ดอลลาร์(ประมาณ 893 วอน) มูลค่าต่อพื้นที่ของ D램 1b จึงสูงกว่าราคาหน้าโรงงานของเวเฟอร์ TSMC N2 ราว 54%

กระบวนการผลิต D램 ระดับ 10 นาโนเมตรมีการพัฒนาให้เล็กลงตามลำดับ 1y, 1z, 1a และ 1b โดยรุ่น 1b คำนวณจากสมมติฐานความหนาแน่นบิตที่ 0.436Gb ต่อตารางมิลลิเมตร เมื่อเปรียบเทียบกับ TSMC N3 มูลค่าต่อพื้นที่ของ D램สูงกว่าตั้งแต่รุ่น 1y และส่วนต่างเพิ่มขึ้นในรุ่น 1z และ 1b

ราคาซื้อขายในตลาดสปอตอยู่ในระดับใกล้เคียงกับสมมติฐานหลักของการวิเคราะห์ ข้อมูลของ DRAMeXchange ระบุว่า ราคาเฉลี่ยซื้อขายชิป 16Gb DDR5 eTT เมื่อวันที่ 21 กันยายนอยู่ที่ 24.80 ดอลลาร์(ประมาณ 33,852 วอน) หรือราว 1.55 ดอลลาร์(ประมาณ 2,116 วอน)เมื่อคำนวณต่อ 1Gb ซึ่งไม่แตกต่างมากจากสมมติฐาน 1.50 ดอลลาร์ของ Kernel Insight สื่อเทคโนโลยีต่างประเทศก็ยืนยันการคำนวณและเงื่อนไขสมมติฐานในทิศทางเดียวกัน

อย่างไรก็ตาม ไม่ควรตีความการเปรียบเทียบนี้ขยายไปสู่ข้อสรุปว่า D램มีราคาแพงกว่าหรือทำกำไรได้มากกว่าชิปประมวลผลขั้นสูง เพราะตัวเลขของ TSMC คือค่าบริการผลิตเวเฟอร์ที่ลูกค้าจ่าย ขณะที่ตัวเลขของ D램คือมูลค่าการขายที่อาจเกิดขึ้นจากผลิตภัณฑ์หน่วยความจำสำเร็จรูปภายในพื้นที่ดังกล่าว ฐานการคำนวณของทั้งสองตัวเลขจึงแตกต่างกัน

การคำนวณ D램ยังไม่รวมต้นทุนการแพ็กเกจขั้นสูง เช่น หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) ขณะที่ราคาเวเฟอร์ของ TSMC เป็นตัวเลขประมาณการอย่างไม่เป็นทางการ และเป็นราคาหน้าโรงงานที่ยังไม่ได้สะท้อนพื้นที่ของไดที่ใช้งานได้จริงหรืออัตราผลผลิต นอกจากนี้ ดัชนี D램ยังอ้างอิงราคาซื้อขายในตลาดสปอตปริมาณน้อย จึงอาจแตกต่างจากราคาสัญญาระยะยาวของผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ เช่น Samsung Electronics, SK hynix และไมครอน เทคโนโลยี($MU)

การวิเคราะห์ครั้งนี้แสดงให้เห็นว่าความต้องการ AI และราคา D램ส่งผลอย่างไรต่อการคำนวณมูลค่าการขายต่อพื้นที่ของกระบวนการผลิตหน่วยความจำรุ่นล่าสุด อย่างไรก็ตาม การประเมินผลประกอบการของบริษัทหรือความสามารถในการทำกำไรจากการผลิตยังต้องพิจารณาอัตราผลผลิต ต้นทุนแพ็กเกจ และราคาตามสัญญาร่วมกัน