มีรายงานว่า ฉางซินเทคโนโลยี(长鑫科技·688825) มีแผนลงทุน 24,100 ล้านหยวนในโครงการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยี และอีก 10,800 ล้านหยวนในโครงการก่อสร้างฐานทดสอบกระบวนการหลังการผลิตเวเฟอร์หน่วยความจำ ระยะที่ 2
โอเดลี่รายงานว่า ฉางซินเทคโนโลยีกำลังผลักดันโครงการทั้งสองรายการ โดยข้อมูลโครงการที่เปิดเผยระบุว่า ฐานทดสอบกระบวนการหลังการผลิตเวเฟอร์หน่วยความจำ ระยะที่ 2 กำลังดำเนินการในเมืองเหอเฝย์ มณฑลอานฮุยของจีน
ฉางซินเทคโนโลยีเป็นบริษัทที่พัฒนาและผลิตเซมิคอนดักเตอร์หน่วยความจำ DRAM
ความคิดเห็น 0