อีลอน มัสก์ชี้ จีนอาจขยายกำลังผลิตหน่วยความจำได้มากกว่าภูมิภาคอื่น

อีลอน มัสก์(Elon Musk) กล่าวว่า จีนมักขยายกำลังการผลิตได้มากกว่าภูมิภาคอื่นรวมกัน เมื่อเรียนรู้เทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำ พร้อมระบุว่าหน่วยความจำทั่วไปกับหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นใหม่ (HBM) มีระดับความยากทางเทคนิคต่างกัน

เมื่อวันที่ 13 มัสก์ตอบการพูดคุยเรื่องการขายหุ้นกลุ่มหน่วยความจำ โดยยกตัวอย่างการขยายกำลังผลิตของจีนในอุตสาหกรรมแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนและพลังงานแสงอาทิตย์ บล็อกบีตส์(BlockBeats) รายงานคำกล่าวดังกล่าว

เขาระบุว่าอุตสาหกรรมหน่วยความจำอาจแตกต่างออกไป เมื่อราว 3 ปีก่อน หน่วยความจำยังใกล้เคียงกับสินค้าโภคภัณฑ์ทั่วไปที่มีอัตรากำไรต่ำ ส่วน LP5 และ LP6 ใช้มาตรฐานร่วมกัน จึงดูเหมือนว่าจีนจะแก้ปัญหาด้านเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้องได้อย่างรวดเร็ว ทั้งนี้ เขาไม่ได้อธิบายโดยเฉพาะว่า LP5 และ LP6 หมายถึงมาตรฐานผลิตภัณฑ์ใด

ในทางกลับกัน มัสก์มองว่า HBM รุ่นใหม่มีอุปสรรคทางเทคนิคสูงกว่า เขายกตัวอย่างโครงสร้างที่วางชั้น SRAM ไว้ใต้ลอจิกวงจรและซ้อนหน่วยความจำสามมิติไว้ด้านบน พร้อมกล่าวว่าการจัดการความร้อนจากลอจิกวงจรก็เป็นโจทย์ที่แก้ได้ยาก

เบื้องหลังการพูดคุยนี้คือการพัฒนา DRAM รุ่นใหม่ของฉางซินเมมโมรี(CXMT) บริษัทระบุว่ามีแผนเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ DDR5 RDIMM ภายในสิ้นปี โดยใช้โครงสร้าง 4F² และการเชื่อมประสานแบบไฮบริด

4F² เป็นการออกแบบที่ลดพื้นที่เซลล์หน่วยความจำเมื่อเทียบกับโครงสร้าง 6F² ซึ่งเป็นแบบที่ใช้กันแพร่หลาย คำอธิบายระบุว่า เมื่อใช้พื้นที่เวเฟอร์และโหนดกระบวนการผลิตเท่ากัน พื้นที่เซลล์จะลดลงราวหนึ่งในสาม และอาจเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บตามทฤษฎีได้ราว 50% ข่าวการพัฒนานี้ทำให้ความกังวลเรื่องการแข่งขันในอนาคตและการขยายอุปทานเพิ่มขึ้น

อย่างไรก็ตาม แผนเปิดตัวผลิตภัณฑ์ยังไม่ใช่หลักฐานว่ามีการผลิตจำนวนมากหรือได้ผลผลิตที่มีเสถียรภาพ คำกล่าวของมัสก์เป็นมุมมองต่อความสามารถของจีนในการขยายกำลังผลิต และไม่ได้ยืนยันผลการผลิตจำนวนมากของฉางซินเมมโมรี

มัสก์กล่าวเพิ่มเติมว่า สเปซเอ็กซ์(SpaceX) เป็นข้อยกเว้นที่พบได้ยากในอุตสาหกรรมการปล่อยสู่อวกาศ เขาอ้างว่ามวลรวมของน้ำหนักบรรทุกที่สเปซเอ็กซ์นำขึ้นสู่วงโคจรมีมากกว่าภูมิภาคอื่นรวมกันราว 10 เท่า และจีนครองสัดส่วนส่วนใหญ่ของมวลน้ำหนักบรรทุกที่ส่งขึ้นสู่วงโคจร หากไม่นับสเปซเอ็กซ์