NAND 512Gb ร่วง 12% ในรอบสัปดาห์ ขณะที่ราคา DDR5 สปอตทรงตัว

ราคาสปอตเวเฟอร์ NAND ขนาด 512Gb ลดลง 12% ในรอบสัปดาห์ ขณะที่ราคาสปอต DDR5 ขนาด 16Gb ทรงตัว สะท้อนทิศทางราคาในระยะสั้นที่ต่างกันระหว่างผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ

รายงานของแบงก์ ออฟ อเมริกา (Bank of America) ลงวันที่ 13 พฤศจิกายน 2026 กล่าวถึงราคาและแนวโน้มของหน่วยความจำ โดยครอบคลุมทั้งราคาสปอตและราคาตามสัญญาของ NAND รวมถึงแนวโน้มราคา DRAM

ข้อมูลสปอตจาก DRAMeXchange ระบุว่าเวเฟอร์ NAND ขนาด 512Gb อยู่ที่ 14.3 ดอลลาร์ (ประมาณ 19,100 วอน) ส่วนรุ่น 1Tb อยู่ที่ 24.9 ดอลลาร์ (ประมาณ 33,300 วอน) ราคาของทั้งสองรุ่นลดลงจากไตรมาสก่อน 32% และ 19% ตามลำดับ แต่เพิ่มขึ้นจากช่วงเดียวกันของปีก่อน 121% และ 194% ส่วน DDR5 ขนาด 16Gb อยู่ที่ 60.2 ดอลลาร์ (ประมาณ 80,400 วอน) ไม่เปลี่ยนแปลงจากสัปดาห์ก่อน และสูงกว่าช่วงเดียวกันของปีก่อน 150%

DRAM ใช้ประมวลผลข้อมูลที่กำลังทำงานอยู่ ส่วน NAND ใช้เก็บข้อมูลแม้ไม่มีไฟเลี้ยง ด้วยการใช้งานและแหล่งความต้องการที่ต่างกัน ราคาของหน่วยความจำทั้งสองประเภทจึงเคลื่อนไหวคนละทิศทางได้

แบงก์ ออฟ อเมริกา ประเมินว่าราคาสปอต NAND ปรับตัวลงราว 20% นับจากช่วงกลางถึงปลายเดือนตุลาคม การลดลงจึงไม่ได้เกิดขึ้นเฉพาะในช่วงสัปดาห์ล่าสุด แต่ต่อเนื่องมาราวหนึ่งเดือน

รายงานระบุว่าสาเหตุหนึ่งที่ทำให้ความต้องการ NAND อ่อนลงคือคำสั่งซื้อจากผู้ผลิตคอมพิวเตอร์และสมาร์ตโฟน รวมถึงผู้ให้บริการคลาวด์รายใหญ่ในจีนที่ชะลอตัว พร้อมชี้ว่าคำสั่งซื้อเร่งด่วนยังไม่ปรากฏ

แบงก์ ออฟ อเมริการะบุในรายงานวันที่ 13 พฤศจิกายน 2026 โดยอิงข้อมูล ณ วันเดียวกันว่า ราคาเฉลี่ยขาย NAND สำหรับงาน IT ในไตรมาส 1 ปี 2027 อาจลดลง 5–10% จากไตรมาสก่อน ขณะที่ผลิตภัณฑ์สำหรับองค์กรอาจทรงตัวหรือเพิ่มขึ้นเล็กน้อย และราคา NAND โดยรวมอาจลดลงในระดับเลขหลักเดียวช่วงต้น รายงานยังระบุว่าตลาดคาดการณ์ว่าราคา NAND จะเพิ่มขึ้นราว 10% ซึ่งเป็นแนวโน้มที่ต่างจากประมาณการของธนาคาร

โครงสร้างการผลิตยังเป็นปัจจัยกดดัน รายงานประเมินว่าสายการผลิตรุ่นเก่าคิดเป็น 20–30% ของกำลังการผลิตเวเฟอร์ทั่วโลก และยังถูกใช้ผลิต NAND สำหรับงาน IT เนื่องจากไม่เหมาะกับการผลิต NAND ระดับสูงและ SSD สำหรับองค์กร

แบงก์ ออฟ อเมริการะบุในรายงานวันที่ 13 พฤศจิกายน 2026 ว่า ผู้ผลิตเน้นย้ำถึงความต้องการ SSD สำหรับองค์กรที่แข็งแกร่ง ซึ่งอาจช่วยชดเชยความอ่อนแอของ NAND สำหรับงาน IT ได้บางส่วน อย่างไรก็ตาม ราคาต่อบิตของ NAND ความจุสูงกว่า 2Tb และ SSD สำหรับองค์กรที่มีความจุมากกว่า 30TB ลดลงเล็กน้อย ธนาคารตีความว่าเป็นการส่งเสริมการขายของผู้ผลิตเพื่อแนะนำผลิตภัณฑ์ QLC รุ่นถัดไป พร้อมระบุว่าราคา NAND ของ SSD สำหรับองค์กรส่วนใหญ่ยังมีแนวโน้มเพิ่มขึ้นเล็กน้อย

ราคาตามสัญญาของ NAND เคลื่อนไหวต่างจากราคาสปอต ข้อมูลของ TrendForce ระบุว่า ในเดือนตุลาคม ราคาตามสัญญาของเวเฟอร์ TLC ขนาด 1Tb แทบไม่เปลี่ยนจากเดือนก่อน ส่วนเวเฟอร์ขนาด 512Gb ยังคงอยู่ในระดับสูงที่ราว 27 ดอลลาร์ (ประมาณ 36,100 วอน) ซึ่งสูงกว่าราคาต่ำสุดเมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2025 ที่ 2.5 ดอลลาร์ (ประมาณ 3,340 วอน) ราว 10 เท่า

แบงก์ ออฟ อเมริกาคาดการณ์ในรายงานวันที่ 13 พฤศจิกายน 2026 ว่า หากยังไม่มีคำสั่งซื้อเร่งด่วนจากผู้ผลิตปลายน้ำ การเจรจาราคาตามสัญญาสำหรับไตรมาส 1 ปี 2027 อาจล่าช้า และอำนาจต่อรองของผู้ผลิตอาจอ่อนลง

ราคาตามสัญญาของ DRAM ปรับขึ้น ข้อมูลของ TrendForce ระบุว่า ราคา DDR5 ขนาด 16Gb ในเดือนตุลาคมเพิ่มขึ้น 5% จากเดือนก่อน และเพิ่มขึ้นมากกว่า 500% จากช่วงเดียวกันของปีก่อน ส่วนโมดูลหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 และ DDR4 ขนาด 64GB เพิ่มขึ้นราว 15% จากเดือนก่อน มาอยู่ที่ 1,600 ดอลลาร์ (ประมาณ 2,137,600 วอน) และ 1,500 ดอลลาร์ (ประมาณ 2,004,000 วอน) ตามลำดับ ตัวอย่างการเพิ่มความจุหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์คือการสาธิต RDIMM DDR5 ขนาด 512GB ของไมครอน (Micron, $MU)

แบงก์ ออฟ อเมริการะบุในรายงานวันที่ 13 พฤศจิกายน 2026 ว่า คาดราคาตามสัญญา DRAM ในไตรมาส 4 ปี 2026 จะเพิ่มขึ้น 8% จากไตรมาสก่อน และในไตรมาส 1 ปี 2027 จะเพิ่มขึ้น 5%

แบงก์ ออฟ อเมริกาจัดงานพบปะนักลงทุนกับซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ (Samsung Electronics, $005930) เมื่อวันที่ 12 พฤศจิกายน รายงานระบุว่าความต้องการชิปสำหรับศูนย์ข้อมูล AI ในสหรัฐฯ แข็งแกร่ง และยังไม่เห็นการลดคำสั่งซื้อ แม้จะมีความกังวล อีกทั้งสถานะของซัมซุงในตลาด HBM ดีขึ้นจากเมื่อหนึ่งปีก่อน รายงานวันที่ 13 พฤศจิกายนยังระบุว่า ราคาตามสัญญาระยะยาว (LTA) สำหรับ DRAM ของซัมซุงและอัตรากำไรที่สูงอาจดำเนินต่อไปได้อีกนาน

รายงานเดียวกันระบุว่า ซัมซุงตั้งเป้าส่วนแบ่งตลาด HBM ไว้ที่ 30–40% ไม่ใช่มากกว่า 50% แบงก์ ออฟ อเมริกาคาดการณ์ ณ วันที่ 13 พฤศจิกายน 2026 ว่า การขยายกำลังผลิต HBM อาจไม่มากเกินไป เนื่องจาก LPDDR5 อาจทำกำไรได้สูงกว่า HBM ไปจนถึงสิ้นปี 2027 รายงานยังระบุว่า HBM4e ใช้กระบวนการผลิต 1c และชิปตรรกะขนาด 4nm เช่นเดียวกับ HBM4

แบงก์ ออฟ อเมริกาประเมินในรายงานวันที่ 13 พฤศจิกายน 2026 ว่า การเพิ่มขึ้นของราคาตามสัญญาในปี 2027 อาจต่ำกว่าที่ TrendForce คาดการณ์ โดยให้เหตุผลว่าราคาได้ปรับขึ้นไปก่อนแล้วในปี 2026 รายงานระบุว่าอุปสงค์จากศูนย์ข้อมูล AI และกำลังการผลิตที่ HBM ใช้สนับสนุนราคา DRAM ขณะที่อำนาจต่อรองด้านราคาของ NAND กำลังเอนเอียงไปทางผู้ซื้อ