ข่าว 
ข้อมูลเหรียญ 
แนะนำสื่อ 
ความต้องการหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง(HBM) สำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI เพิ่มขึ้น ทำให้ราคาตามสัญญาของ DRAM เซิร์ฟเวอร์ในไตรมาส 3 ปี 2026 ถูกคาดว่าจะเพิ่มขึ้น 13~18% จากไตรมาสก่อนหน้า ขณะเดียวกันผู้ผลิตเมมโมรีจัดสรรกำลังการผลิตให้ HBM และสินค้าสำหรับเซิร์ฟเวอร์เป็นลำดับแรก ส่งผลให้ DRAM ทั่วไปและ NAND flash เผชิญแรงกดดันด้านอุปทานด้วย
เมื่อวันที่ 9 กรกฎาคม เทรนด์ฟอร์ซ(TrendForce) เปิดเผยคาดการณ์ดังกล่าวในการสำรวจราคาเมมโมรี โดยระบุว่าผู้ให้บริการคลาวด์ของสหรัฐฯ(CSP) ทำสัญญาระยะยาวหลายปี จึงอาจจำกัดระดับการปรับขึ้นราคาของลูกค้าบางรายได้ แต่ภาพรวมภาวะขาดแคลนอุปทานยังมีแนวโน้มดำเนินต่อไป
แรงกดดันด้านราคาเริ่มชัดขึ้นตั้งแต่ไตรมาส 2 เทรนด์ฟอร์ซระบุในการสำรวจเมื่อวันที่ 31 มีนาคมว่า ราคาตามสัญญาของ DRAM ทั่วไปและ NAND flash ในไตรมาส 2 ปี 2026 ถูกคาดว่าจะเพิ่มขึ้นจากไตรมาสก่อนหน้า 58~63% และ 70~75% ตามลำดับ ปัจจัยหลักมาจากความต้องการ AI และศูนย์ข้อมูลที่ผลักดันคำสั่งซื้อ SSD ระดับองค์กร ขณะที่ผู้ผลิต DRAM ย้ายกำลังการผลิตไปยัง HBM และผลิตภัณฑ์เซิร์ฟเวอร์มากขึ้น
ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์(Samsung Electronics) ระบุในการประกาศผลประกอบการไตรมาส 1 ปี 2026 เมื่อวันที่ 30 เมษายนว่า ธุรกิจเมมโมรีทำรายได้รายไตรมาสและกำไรจากการดำเนินงานสูงสุดเป็นประวัติการณ์ โดยได้แรงหนุนจากความต้องการ AI และภาวะอุปทานที่จำกัด ในไตรมาสเดียวกัน เคาน์เตอร์พอยต์รีเสิร์ช(Counterpoint Research) ประเมินส่วนแบ่งรายได้ DRAM ทั่วโลกไว้ที่ ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ 38%, เอสเคไฮนิกซ์(SK hynix) 29% และไมครอน(Micron) 22%
เอสเคไฮนิกซ์และแซนดิสก์(Sandisk) จัดงานเปิดตัวสมาคมมาตรฐานแฟลชแบนด์วิดท์สูง(HBF) เมื่อวันที่ 25 กุมภาพันธ์ ที่เมืองมิลพีทัส รัฐแคลิฟอร์เนีย สหรัฐฯ HBF ถูกนำเสนอเป็นชั้นเมมโมรีใหม่ระหว่าง HBM และ SSD เพื่อเพิ่มความสามารถในการขยายระบบและประสิทธิภาพการใช้พลังงานของโครงสร้างพื้นฐาน AI inference
แรงกดดันด้านอุปทานยังเริ่มลามไปยังสินค้าอุปโภคบริโภค สำนักข่าว AP รายงานว่าแอปเปิล(Apple) ปรับขึ้นราคา Mac และ iPad โดยให้เหตุผลเกี่ยวกับการขาดแคลนชิปเมมโมรีจากการขยายศูนย์ข้อมูล AI กรณีนี้สะท้อนว่าราคาเมมโมรีที่สูงขึ้นไม่ได้กระทบเฉพาะอุปกรณ์ศูนย์ข้อมูล แต่เริ่มส่งผ่านไปยังราคาสินค้าสำเร็จรูปด้วย
การปรับขึ้นราคาครั้งนี้ถูกวิเคราะห์ว่าเป็นผลจากความต้องการศูนย์ข้อมูล AI, HBM, DRAM เซิร์ฟเวอร์ และ SSD ระดับองค์กรที่เกิดขึ้นพร้อมกัน ทั้งนี้ ยังไม่พบหลักฐานยืนยันว่าเหรียญคริปโตหรือโครงการบล็อกเชนใดเป็นสาเหตุโดยตรงที่ทำให้ราคา DRAM และ NAND flash เพิ่มขึ้น
ไมครอนเปิดเผยในการประกาศผลประกอบการไตรมาส 3 ปีงบประมาณ 2026 เมื่อวันที่ 24 มิถุนายนว่า บริษัทคาดรายได้ไตรมาส 4 อยู่ที่ราว 50,000 ล้านดอลลาร์(ประมาณ 69 ล้านล้านวอน) พร้อมระบุว่า HBM4 เริ่มมีการจัดส่งในปริมาณสูงแล้ว และคาดว่า HBM4E จะเข้าสู่การผลิตจำนวนมากในปี 2027
ความคิดเห็น 0