ข่าว 
ข้อมูลเหรียญ 
แนะนำสื่อ 
มีรายงานว่า Samsung Electronics($005930) จะใช้กระบวนการ 3 นาโนเมตรของ TSMC ผลิตเบสไดสำหรับ NVHBM หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงแบบปรับแต่งของ Nvidia($NVDA) ขณะเดียวกัน Samsung กำลังตรวจสอบความเป็นไปได้ในการผลิตด้วยโรงหล่อของตนเอง
Odaily รายงานเรื่องนี้เมื่อวันที่ 18 โดยอ้างโพสต์บน X ของ Jukan นักวิเคราะห์จาก Citrini ซึ่งระบุว่า Nvidia เรียกร้องให้ Samsung ใช้กระบวนการดังกล่าว โดยอ้างอิงรายงานจากสื่อเกาหลี
เบสไดเป็นชิปตรรกะที่อยู่ใต้คอร์ได ซึ่งทำหน้าที่เป็นหน่วยความจำใน HBM Nvidia เปิดตัว NVHBM พร้อมอธิบายโครงสร้างที่รวมตัวควบคุมหน่วยความจำแบบปรับแต่งไว้ในเบสไดของ HBM
Odaily ระบุเพิ่มเติมว่า Samsung กำลังตรวจสอบว่าสามารถผลิตเบสไดด้วยโรงหล่อของตนเองได้หรือไม่ เผื่อกรณีที่ความต้องการ NVHBM สูงเกินกำลังการผลิตของ TSMC อย่างไรก็ตาม รายงานไม่ได้ระบุปริมาณการผลิตจริงหรือกำหนดการ
ความคิดเห็น 0