คิออกเซีย-แซนดิสก์ พิจารณาทุ่ม 3.1 หมื่นล้านดอลลาร์ ขยายโรงงานแนนด์แฟลชในญี่ปุ่น

คิออกเซีย โฮลดิงส์ (Kioxia Holdings, 285A) กำลังพิจารณาสร้างอาคารผลิตแห่งที่สามที่โรงงานคิตาคามิ จังหวัดอิวาเตะ ประเทศญี่ปุ่น เพื่อรองรับความต้องการชิปหน่วยความจำแนนด์แฟลช(NAND) ประสิทธิภาพสูงที่ใช้ในศูนย์ข้อมูล AI ที่เพิ่มขึ้นต่อเนื่อง

สำนักข่าว Odaily อ้างอิงแหล่งข่าวในตลาดรายงานว่า คิออกเซียและแซนดิสก์ (SanDisk, SNDK) วางแผนร่วมลงทุนราว 3.1 หมื่นล้านดอลลาร์สหรัฐในญี่ปุ่น เพื่อขยายกำลังผลิตโรงงานหน่วยความจำ โดยเป้าหมายหลักคือการเพิ่มกำลังผลิตแนนด์แฟลชแบบ 3D ความหนาแน่นสูงรุ่นล่าสุด ซึ่งเป็นชิปสำหรับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่รองรับปริมาณงานข้อมูลขนาดใหญ่จากบริการ AI

แผนขยายกำลังผลิตครั้งนี้ถูกมองว่าเป็นความร่วมมือระหว่างคิออกเซียกับแซนดิสก์ บริษัทหน่วยความจำสัญชาติสหรัฐ โดยทั้งสองบริษัทกำลังพิจารณายื่นขอรับเงินอุดหนุนจากรัฐบาลญี่ปุ่นด้วยเช่นกัน คิออกเซียมีฐานการผลิตหลักอยู่ที่เมืองยกไกจิ จังหวัดมิเอะ และเมืองคิตาคามิ จังหวัดอิวาเตะ โดยอาคารใหม่ที่คิตาคามิถูกหารือในฐานะส่วนขยายที่จะเสริมสายการผลิตเดิม

ตัวเลขเงินลงทุนที่มีการเปิดเผยอยู่ที่ 3.1 หมื่นล้านดอลลาร์สหรัฐ อย่างไรก็ตาม รายละเอียดกำหนดการ ทั้งวันเริ่มก่อสร้างและวันเริ่มผลิตจริง ยังไม่ถูกเปิดเผยออกมา

ทั้งนี้ คิออกเซียและแซนดิสก์เริ่มการผลิตหน่วยความจำแฟลช 3D รุ่นที่ 10 ที่โรงงานคิตาคามิไปแล้ว โดยทั้งสองบริษัทประกาศเมื่อวันที่ 3 กรกฎาคม (ตามเวลาท้องถิ่น) ว่าได้เริ่มการผลิตหน่วยความจำแฟลช 3D รุ่นที่ 10 ที่โรงงาน Kitakami Fab2 ซึ่งเปิดดำเนินการมาตั้งแต่เดือนกันยายน 2025 และผ่านขั้นตอนการผลิตผลิตภัณฑ์รุ่นที่ 8 มาก่อนที่จะขยายสู่การผลิตรุ่นที่ 10 ในปัจจุบัน

การลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI ไม่ได้จำกัดอยู่แค่หน่วยประมวลผลกราฟิก (GPU) เท่านั้น แต่ยังเชื่อมโยงกับความต้องการอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลระยะยาวด้วย ทิศทางการลงทุนของคิออกเซียมุ่งเป้าทั้งการฟื้นตัวของตลาดแนนด์แฟลชและความต้องการจากศูนย์ข้อมูล AI ไปพร้อมกัน โดยแนนด์แฟลชถูกใช้งานในศูนย์ข้อมูล เซิร์ฟเวอร์ และอุปกรณ์พกพา และเมื่อปริมาณข้อมูลที่บริการ AI ต้องประมวลผลเพิ่มขึ้น กำลังการผลิตอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลก็จะถูกพิจารณาเพิ่มตามไปด้วย