ข่าว 
ข้อมูลเหรียญ 
แนะนำสื่อ 
ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์(Samsung Electronics) เปิดตัวต้นแบบ BV-NAND ที่มีโครงสร้างซ้อนมากกว่า 400 ชั้น พร้อมแนวคิด zHBM ที่วางหน่วยความจำซ้อนไว้บนตัวเร่งความเร็ว AI โดยตรง แนวคิดนี้มีเป้าหมายเพื่อลดระยะทางการเคลื่อนย้ายข้อมูล ซึ่งจะช่วยบรรเทาปัญหาคอขวดด้านหน่วยความจำและระบบจัดเก็บข้อมูลในระบบ AI
ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์เปิดตัวต้นแบบ V10 Bonding V-NAND ในงาน Future of Memory and Storage 2026 (FMS 2026) ซึ่งจัดขึ้นระหว่างวันที่ 5-7 (เวลาเกาหลี) ที่เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย สหรัฐอเมริกา ต้นแบบนี้มีชื่อเรียกว่า BV-NAND ใช้โครงสร้างซ้อนมากกว่า 400 ชั้น ร่วมกับเทคนิคการเชื่อมประสานเวเฟอร์ (wafer bonding)
PANews รายงานว่า BV-NAND ได้รับการออกแบบให้มีความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลสูงขึ้นราว 58% เมื่อเทียบกับ NAND รุ่น V9 ก่อนหน้า โดยไม่ได้เพิ่มเพียงจำนวนชั้นของเซลล์เท่านั้น แต่ยังใช้เทคนิคการเชื่อมประสานเวเฟอร์เพื่อยกระดับทั้งความหนาแน่นในการจัดเก็บ ประสิทธิภาพการอ่าน-เขียน และการรับส่งข้อมูลไปพร้อมกัน
การเชื่อมประสานเวเฟอร์คือวิธีการผลิตเวเฟอร์ที่บรรจุเซลล์หน่วยความจำ และเวเฟอร์ที่บรรจุวงจรรอบข้างแยกกัน ก่อนนำมาประกบรวมเป็นชิ้นเดียว โดยมุ่งเน้นการตอบโจทย์ทั้งความจุสูงและประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ระบบ AI ต้องการไปพร้อมกัน
ในงานดังกล่าว ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ยังนำเสนอแนวคิด zHBM และ zNAND-O ด้วย โดยหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) แบบเดิมมักถูกวางไว้ข้างหน่วยประมวลผลกราฟิก (GPU) หรือตัวเร่งความเร็ว AI แต่ zHBM เป็นโครงสร้างที่ซ้อนหน่วยความจำในแนวตั้งไว้บนตัวเร่งความเร็วโดยตรง เพื่อลดระยะทางในการส่งข้อมูล
ข้อมูลที่เปิดเผยระบุว่า zHBM มีความหนาแน่นในการจัดเก็บสูงกว่า HBM5 ในปัจจุบันมากกว่า 10 เท่า ประสิทธิภาพการใช้พลังงานอยู่ที่ราว 3 เท่า และความต้านทานความร้อนลดลงเหลือต่ำกว่าครึ่งหนึ่ง อย่างไรก็ตาม ตัวเลขเหล่านี้ยังไม่ใช่สเปกที่ยืนยันแล้วของผลิตภัณฑ์ที่ผลิตจริง แต่เป็นเพียงเป้าหมายในขั้นตอนแบบจำลองแนวคิดเท่านั้น
ยิ่งโมเดล AI มีขนาดใหญ่ขึ้นเท่าใด ไม่เพียงแต่ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ประมวลผลเท่านั้นที่สำคัญ แต่ความเร็วและประสิทธิภาพในการเคลื่อนย้ายข้อมูลระหว่างอุปกรณ์กับหน่วยความจำก็มีความสำคัญไม่แพ้กัน ภาระของศูนย์ข้อมูลกำลังขยายตัวจากเรื่องกำลังการประมวลผล ไปสู่ความจุหน่วยความจำ แบนด์วิดท์ และโครงสร้างการเคลื่อนย้ายข้อมูล
แนวคิดนี้สอดคล้องกับทิศทางของอุตสาหกรรมที่ใช้เทคโนโลยีการรวมกลุ่มหน่วยความจำบนพื้นฐาน CXL เพื่อรับมือกับปัญหาคอขวดหน่วยความจำ AI ในงานเดียวกันนี้ มาร์เวลล์เทคโนโลยี(Marvell Technology) ก็ได้เปิดตัวสวิตช์ CXL แบบ 260 เลน ที่ออกแบบมาให้ CPU และ GPU สามารถเข้าถึงหน่วยความจำแบบแยกส่วนจากภายนอกได้
ก่อนหน้านี้ในงาน FMS 2025 ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์เคยนำเสนอ HBM4, HBM4E, HBM แบบสั่งทำพิเศษ การขยายหน่วยความจำบนพื้นฐาน CXL และระบบจัดเก็บข้อมูลระดับหน่วยความจำบนพื้นฐาน Z-NAND ในฐานะแกนหลักของโครงสร้างพื้นฐานศูนย์ข้อมูลยุคถัดไป ต่างจาก HBM-PIM ที่ฝังฟังก์ชันประมวลผลไว้ภายในหน่วยความจำ zHBM เป็นแนวทางที่เปลี่ยนโครงสร้างการบรรจุภัณฑ์และการซ้อนชั้น เพื่อลดระยะห่างทางกายภาพโดยตรง
ทางด้านเทรนด์ฟอร์ซ(TrendForce) ประเมินผ่านโพสต์บน LinkedIn ว่า zHBM เป็นโครงสร้างที่มุ่งขยายแบนด์วิดท์ด้วยการซ้อนหน่วยความจำไว้บน GPU พร้อมทั้งชี้ว่าซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ยังไม่ได้เปิดเผยกำหนดการผลิตเชิงพาณิชย์ที่ชัดเจน
การเปิดตัวครั้งนี้สะท้อนว่าการแข่งขันด้าน HBM กำลังขยายขอบเขตเกินกว่าการเปลี่ยนผ่านรุ่นผลิตภัณฑ์ ไปสู่การแข่งขันด้านการบรรจุภัณฑ์ การรับจ้างผลิตชิป และการผสานรวมหน่วยความจำ ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ยืนยันมาโดยตลอดว่าการมีศักยภาพทั้งด้านหน่วยความจำ การรับจ้างผลิตชิป และการบรรจุภัณฑ์ในมือ คือจุดต่างในกลยุทธ์หน่วยความจำ AI ของบริษัท
ยังไม่พบความเชื่อมโยงโดยตรงกับอุตสาหกรรมคริปโตหรือบล็อกเชนแต่อย่างใด ภายในงานมีการหยิบยกเทคโนโลยีหน่วยความจำและระบบจัดเก็บข้อมูลสำหรับระบบ AI ศูนย์ข้อมูล และโครงสร้างพื้นฐานระดับไฮเปอร์สเกล เป็นวาระหลัก โดยงาน FMS 2026 มีกำหนดจัดไปจนถึงวันที่ 7 (เวลาเกาหลี)
ความคิดเห็น 0