Wolfspeed เปิดตัวแผ่น SiC 200 มม. ร่วมมือ LITEON พัฒนาแพลตฟอร์ม 800VDC

วูล์ฟสปีด(Wolfspeed·$WOLF) เปิดตัวแผ่นซิลิคอนคาร์ไบด์(SiC) ชนิด N ขนาด 200 มม. ที่มีความหนาแน่นของไมโครไพป์ต่ำกว่า 0.01 จุดต่อตารางเซนติเมตร พร้อมนำเทคโนโลยี SiC ไปใช้ในแพลตฟอร์มจ่ายไฟสำหรับศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์(AI) แบบ 800VDC ของไลท์ออน(LITEON·2301)

วูล์ฟสปีดระบุเมื่อวันที่ 27 ว่าได้เปิดตัวแผ่น SiC ชนิด N ขนาด 200 มม. รุ่นใหม่ ผลการตรวจสอบด้วยรังสีเอกซ์พบว่าแผ่นเวเฟอร์แต่ละแผ่นมีไมโครไพป์น้อยกว่า 3 จุด นอกจากนี้ยังปรับปรุงเสถียรภาพของรูปทรงเวเฟอร์และลดข้อบกพร่องแบบสกรูดิสโลเคชัน

แผ่น SiC เป็นวัสดุตั้งต้นที่ใช้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์กำลังจาก SiC บริษัทระบุว่า การลดข้อบกพร่องและความแปรปรวนของเวเฟอร์ช่วยลดความผันผวนในกระบวนการเอพิแทกซีขั้นถัดไป ทำให้ผู้ผลิตสามารถพยายามเพิ่มอัตราผลผลิตได้โดยไม่ต้องเปลี่ยนกระบวนการเดิม

วูล์ฟสปีดระบุว่า ผลิตภัณฑ์ดังกล่าวอาจช่วยเพิ่มโอกาสความสำเร็จของการออกแบบในระยะแรกและลดความล่าช้าในการรับรอง โดยมุ่งปรับปรุงความหนาแน่นของข้อบกพร่องและเสถียรภาพของรูปทรงแผ่น เพื่อเพิ่มความสม่ำเสมอของกระบวนการผลิตในขั้นถัดไป

เจนกิซ บัลคัส(Cengiz Balkas) รองประธานอาวุโสฝ่ายวัสดุของวูล์ฟสปีดกล่าวว่า “ผลิตภัณฑ์ขนาด 200 มม. รุ่นนี้แสดงให้เห็นถึงความเชี่ยวชาญของวูล์ฟสปีดในการพัฒนาเทคโนโลยีวัสดุ SiC” พร้อมเสริมว่า ประสบการณ์ด้านการผลิตในระดับมากช่วยสนับสนุนการพัฒนาอุปกรณ์ SiC ประสิทธิภาพสูงได้

สายการผลิตขนาด 200 มม. ของวูล์ฟสปีดเริ่มดำเนินงานตั้งแต่ปี 2022 บริษัทระบุว่าแผ่นเวเฟอร์รุ่นใหม่สามารถสั่งซื้อได้แล้ว และอาจเพิ่มกำลังการผลิตจากโรงงานขนาดใหญ่เดิม หากความต้องการเพิ่มขึ้น

นอกเหนือจากการเปิดตัววัสดุครั้งนี้ วูล์ฟสปีดและไลท์ออนยังร่วมมือกันด้านการแปลงพลังงานสำหรับศูนย์ข้อมูล AI โดยทั้งสองบริษัทประกาศเมื่อวันที่ 6 สิงหาคมว่าเสร็จสิ้นการรับรองการนำเทคโนโลยี SiC ของวูล์ฟสปีดไปใช้กับแพลตฟอร์ม 800VDC Power Sidecar และชุดจ่ายไฟ(PSU) สำหรับแร็กคอมพิวต์ของไลท์ออน

ไลท์ออนจะใช้แพลตฟอร์มการผลิต SiC ขนาด 200 มม. ของวูล์ฟสปีดด้วย แพลตฟอร์ม 800VDC เป็นโครงสร้างไฟฟ้ากระแสตรงที่เพิ่มแรงดันเพื่อให้กระแสลดลงเมื่อส่งพลังงานในปริมาณเท่ากัน กระแสที่ลดลงช่วยลดการสูญเสียระหว่างการส่งไฟฟ้าและลดภาระของสายเคเบิล จึงถูกนำเสนอเป็นแนวทางรองรับความต้องการพลังงานของเซิร์ฟเวอร์ AI ความหนาแน่นสูง

ไลท์ออนนำเสนอแร็กไฟฟ้า 800VDC ชั้นจ่ายไฟขนาด 110kW และระบบระบายความร้อนด้วยของเหลวเป็นกลุ่มผลิตภัณฑ์สำหรับศูนย์ข้อมูล AI รุ่นถัดไป โดยครอบคลุมทั้งโครงสร้างการแปลงพลังงานภายในศูนย์ข้อมูลและการจ่ายไฟให้เซิร์ฟเวอร์

วูล์ฟสปีดรับผิดชอบด้านวัสดุ SiC และเซมิคอนดักเตอร์กำลัง ส่วนไลท์ออนรับผิดชอบระบบจ่ายไฟสำหรับศูนย์ข้อมูล ความร่วมมือดังกล่าวเชื่อมโยงการจัดหาวัสดุขนาด 200 มม. เข้ากับแพลตฟอร์มพลังงาน 800VDC

SiC เป็นวัสดุที่ใช้ในการแปลงพลังงานในสภาพแวดล้อมแรงดันสูง และมีผลต่อประสิทธิภาพรวมถึงการจัดการความร้อนของเซมิคอนดักเตอร์กำลัง อย่างไรก็ตาม การขยายฐานลูกค้าและขนาดการผลิตจริงยังขึ้นอยู่กับผลการใช้งานและความต้องการในอนาคต

เมื่อความต้องการพลังงานของศูนย์ข้อมูล AI เพิ่มขึ้น บทบาทของแหล่งจ่ายไฟและชิ้นส่วนแปลงพลังงานก็มีความสำคัญมากขึ้นนอกเหนือจากเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการประมวลผล การร่วมมือครั้งนี้จึงเป็นกรณีศึกษาการนำวัสดุ SiC ไปใช้ในโครงสร้างจ่ายไฟของศูนย์ข้อมูล

วูล์ฟสปีดเปิดให้สั่งซื้อแผ่นเวเฟอร์ขนาด 200 มม. รุ่นใหม่แล้ว ขณะที่ไลท์ออนเสร็จสิ้นการรับรองเพื่อใช้แพลตฟอร์มพลังงาน 800VDC ขั้นต่อไปที่ต้องติดตามคือการนำไปใช้กับลูกค้าจริงและการขยายกำลังการผลิต