ไมครอนตั้งเป้าขยายการผลิต DRAM 1δ และ NAND G11 ในครึ่งหลังปี 2027

ไมครอน เทคโนโลยี($MU) ตั้งเป้าขยายการผลิต DRAM กระบวนการ 1δ รุ่นถัดไป และ NAND G11 ที่มีชั้นซ้อนเกิน 400 ชั้นในครึ่งหลังปี 2027 พร้อมเดินหน้าพัฒนา HBM แนวตั้งและ 3D DRAM ควบคู่กัน

สก็อตต์ เดอโบเออร์(Scott DeBoer) ประธานและหัวหน้าฝ่ายเทคโนโลยีและผลิตภัณฑ์ของไมครอน กล่าวว่าในงานสัมมนาออนไลน์ด้านเทคโนโลยีเมื่อวันที่ 21 ว่า “หน่วยความจำเป็นหัวใจของ AI และเป็นปัจจัยที่จำกัดประสิทธิภาพและขีดความสามารถของระบบในปัจจุบัน” ไมครอนเปิดเผยแผนพัฒนาเทคโนโลยี DRAM, HBM และ NAND ในงานดังกล่าว

1δ เป็นกระบวนการ DRAM รุ่นถัดจาก 1γ ซึ่งอยู่ระหว่างการผลิตจำนวนมากในปัจจุบัน เดอโบเออร์ระบุว่าความหนาแน่นบิตของ 1δ จะเพิ่มขึ้นในช่วงกลาง 20% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า หมายถึงสามารถเก็บข้อมูลได้มากขึ้นในพื้นที่เท่าเดิม โดยไมครอนออกแบบกระบวนการนี้ให้เหมาะกับผลิตภัณฑ์สำหรับ AI เช่น HBM5 และ HBM แนวตั้ง

NAND รุ่นถัดไป G11 ตั้งเป้าเพิ่มความหนาแน่นบิตเป็น 2 เท่า และความเร็วรับส่งข้อมูลเข้าออกเป็น 1.5 เท่า เมื่อเทียบกับ G9 แผนดังกล่าวจะใช้เทคโนโลยีบอนดิงเชื่อมเวเฟอร์สองแผ่น และเพิ่มจำนวนชั้นซ้อนให้เกิน 400 ชั้น ไมครอนระบุว่าจะเปิดเผยรายละเอียดสเปกเมื่อใกล้ถึงกำหนดเปิดตัว

ทิศทางการพัฒนา HBM ครอบคลุมทั้งผลิตภัณฑ์มาตรฐาน ผลิตภัณฑ์ปรับแต่งตามความต้องการของลูกค้า และโครงสร้างแนวตั้ง HBM แนวตั้งเป็นวิธีวางหน่วยความจำโดยตรงเหนือหน่วยประมวลผล เดอโบเออร์กล่าวว่าความหนาแน่นของจุดเชื่อมต่อและการจัดการความร้อนเป็นโจทย์ทางเทคนิค ขณะที่ไมครอนไม่ได้ระบุกำหนดการวางจำหน่ายเชิงพาณิชย์หรือค่าประสิทธิภาพที่ยืนยันแล้ว

ด้านโครงสร้าง DRAM ไมครอนจะพัฒนาการย่อขนาดกระบวนการที่ใช้โครงสร้าง 6F² ต่อไป พร้อมกับพัฒนา 3D DRAM เดอโบเออร์กล่าวว่าจะตัดสินใจกำหนดเวลานำมาใช้โดยพิจารณาต้นทุน ความซับซ้อนในการผลิต และประสิทธิภาพ

แผนที่เปิดเผยครั้งนี้ครอบคลุมการเพิ่มความหนาแน่น ความเร็วรับส่งข้อมูล และการปรับโครงสร้างการจัดวางหน่วยความจำสำหรับ AI ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์และ SK ไฮนิกซ์ก็เคยเปิดเผยเทคโนโลยีหน่วยความจำ AI และ NAND แบบซ้อนหลายชั้นเช่นกัน ทำให้การแข่งขันพัฒนาในอุตสาหกรรมยังดำเนินต่อไป ก่อนหน้านี้มีรายงานเกี่ยวกับแนวคิดของซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ในการใช้ NAND แบบบอนดิงที่มีชั้นซ้อนเกิน 400 ชั้น และการวางหน่วยความจำเหนือหน่วยประมวลผล ไมครอนเตรียมเปิดเผยรายละเอียดสเปกของ G11 เมื่อใกล้ถึงกำหนดเปิดตัวในปี 2027