ยอดผลิตดี HBM3 ของ CXMT จีนอยู่ที่ 25% ต่ำกว่าเอสเค ไฮนิกซ์ ชี้ช่องว่างเทคโนโลยี TSV

ยอดผลิตดี (ยีลด์) ของชิป HBM3 ที่ผลิตทดลองโดยฉางซิน เมมโมรี (CXMT) ผู้ผลิตดีแรมรายใหญ่ที่สุดของจีน อยู่ที่เพียง 25% ในช่วงเริ่มต้น ต่ำกว่าเอสเค ไฮนิกซ์ (SK hynix) ที่ทำได้กว่า 90% อย่างชัดเจน สะท้อนช่องว่างด้านเทคโนโลยีที่ยังห่างไกลระหว่างสองบริษัท

เมื่อวันที่ 9 (เวลาท้องถิ่น) Chosun Biz สื่อเศรษฐกิจของเกาหลีใต้ รายงานว่า ผลิตภัณฑ์ HBM3 แบบซ้อน 8 ชั้นของ CXMT มียอดผลิตดีในขั้นตอนเวเฟอร์ (front-end) อยู่ที่ประมาณ 30% และเมื่อผ่านกระบวนการหลังบรรจุ (back-end) จนได้เป็นสินค้าสำเร็จรูป ยอดผลิตดีสุดท้ายลดลงเหลือประมาณ 25% รายงานยังระบุว่า CXMT ได้ส่งมอบตัวอย่าง HBM ในปริมาณน้อยให้กับบริษัทจีนอย่างอาลีบาบา ที-เฮด (Alibaba T-Head) และแคมบริคอน (Cambricon) พร้อมเดินหน้าปรับปรุงยอดผลิตดีอย่างต่อเนื่อง

Chosun Biz อธิบายเพิ่มเติมว่า ชิปดีแรมสำหรับ HBM มีขนาดใหญ่กว่าผลิตภัณฑ์ทั่วไปและมีข้อกำหนดทางไฟฟ้าที่เข้มงวดกว่า อีกทั้งยังเกิดของเสียในกระบวนการเจาะรูนำไฟฟ้าผ่านซิลิคอน (TSV) รวมถึงขั้นตอนการซ้อนชั้นและการเชื่อมประสาน (bonding) ด้านโนแมด เซมิ (Nomad Semiconductor) บริษัทวิเคราะห์เซมิคอนดักเตอร์ ระบุว่า จำนวนจุด TSV ต่อชิปหนึ่งตัวของ CXMT อยู่ที่ประมาณ 3,000 จุด ซึ่งน้อยกว่าซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ (Samsung Electronics) ที่ใช้ในชิป HBM2 ซึ่งมีมากกว่า 5,000 จุด และเอสเค ไฮนิกซ์ที่ใช้ในชิป HBM3 ซึ่งมีมากกว่า 8,000 จุด