10% คือส่วนแบ่งดีแรมล่าสุดของ CXMT ขณะนาอูรา(NAURA) อ้างจุดเปลี่ยนเทคโนโลยี 3D ดีแรม

นาอูรา เทคโนโลยี กรุ๊ป (NAURA Technology Group) บริษัทผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์จากจีน ออกมาอ้างว่าสามารถพัฒนากระบวนการกัดกรด (etching) ที่เป็น ‘จุดเปลี่ยน’ ซึ่งอาจช่วยให้ ChangXin Memory Technologies (CXMT) เดินหน้าผลิตดีแรมแบบ 3 มิติ (3D DRAM) ได้ ท่ามกลางส่วนแบ่งตลาดดีแรมของ CXMT ที่ขยายตัวต่อเนื่อง และความพยายามของจีนในการพึ่งพาตัวเองด้านอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ทำให้ประเด็นการพึ่งพาตนเองด้านเทคโนโลยีถูกพูดถึงอีกครั้ง

คริปโตบรีฟิง (Crypto Briefing) รายงานเมื่อวันที่ 4 ว่านาอูราอ้างว่าประสบความสำเร็จในการพัฒนากระบวนการกัดกรดที่จำเป็นต่อการผลิตดีแรม 3 มิติ อย่างไรก็ตาม ข้อมูลที่เปิดเผยยังไม่ระบุชื่อกระบวนการที่ชัดเจน ตัวเลขประสิทธิภาพ อัตราผลผลิต (yield) หรือกำหนดเวลาการผลิตเชิงพาณิชย์แต่อย่างใด

ดีแรม 3 มิติ เป็นแนวคิดหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่ออกแบบมาเพื่อหลีกเลี่ยงข้อจำกัดด้านการย่อขนาดของดีแรมแบบระนาบเดิม ด้วยโครงสร้างการซ้อนชั้นในแนวตั้ง โดยทั่วไปจุดคอขวดสำคัญของเทคโนโลยีนี้อยู่ที่การกัดกรดแบบละเอียด กระบวนการซ้อนชั้น การเชื่อมต่อแนวตั้ง และการควบคุมอัตราผลผลิต ส่วนคำกล่าวอ้างของนาอูราแก้ปัญหาคอขวดขั้นตอนใดกันแน่นั้น ยังต้องรอข้อมูลเพิ่มเติมจากบริษัท

นาอูราระบุในเอกสารทางการของบริษัท ว่าอุปกรณ์ของตนถูกนำไปใช้ในกระบวนการผลิตชิปลอจิก ดีแรม แนนด์แบบ 3 มิติ (3D NAND) และวงจรรวมแบบ 3 มิติ (3D IC) พร้อมระบุว่าในกลุ่มบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง บริษัทมีโซลูชันอุปกรณ์ครอบคลุมตั้งแต่ TSV, RDL, การกัดกรด, การเคลือบฟิล์มบาง ไปจนถึงการทำความสะอาด ข้อมูลนี้สอดคล้องกับทิศทางของดีแรม 3 มิติ แต่ยังไม่ใช่หลักฐานที่ยืนยันว่า CXMT ผลิตดีแรม 3 มิติ ได้ในเชิงพาณิชย์แล้ว

ในทางกลับกัน สินค้าที่ CXMT เปิดเผยต่อสาธารณะยังคงอยู่ในกลุ่มดีแรมมาตรฐานและดีแรมสำหรับมือถือเท่านั้น หน้าผลิตภัณฑ์ทางการของ CXMT แสดงรายการสินค้า DDR5, โมดูล DDR5, LPDDR5 และ LPDDR5X, DDR4 และ LPDDR4X โดยบริษัทระบุความเร็วสูงสุดของ DDR5 อยู่ที่ 8,000 Mbps และความเร็วสูงสุดของ LPDDR5X อยู่ที่ 10,667 Mbps

CXMT ก่อตั้งขึ้นในปี 2016 เป็นผู้ผลิตดีแรม บริษัทระบุว่าดำเนินธุรกิจออกแบบ ผลิต จำหน่าย และวิจัยพัฒนาดีแรมที่ใช้ในโทรศัพท์มือถือ พีซี แท็บเล็ต และเซิร์ฟเวอร์ ทั้งนี้ในห้องข่าวทางการของบริษัทยังไม่ปรากฏการเปิดเผยข้อมูลเกี่ยวกับหน่วยความจำแบบ HBM แยกต่างหาก

แม้เทคโนโลยี 3D DRAM ยังต้องรอการพิสูจน์ แต่การมีอยู่ในเชิงพาณิชย์ของ CXMT ขยายตัวขึ้นชัดเจน เคาน์เตอร์พอยต์ รีเสิร์ช (Counterpoint Research) รายงาน ว่าในไตรมาส 2 ปี 2026 ส่วนแบ่งรายได้ดีแรมทั่วโลกแบ่งเป็น ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์(Samsung Electronics) 39% เอสเค ไฮนิกซ์(SK Hynix) 26% ไมครอน(Micron) 25% และ CXMT 10% โดยข้อมูลชุดเดียวกันระบุว่า CXMT คือผู้ผลิตดีแรมที่เติบโตเร็วที่สุดในไตรมาสดังกล่าว

หากเทียบกับไตรมาสก่อนหน้า จะเห็นความเร็วในการเติบโตชัดเจนขึ้น รายงานแยกต่างหากของเคาน์เตอร์พอยต์ รีเสิร์ชระบุว่าส่วนแบ่งของ CXMT ในไตรมาส 1 ปี 2026 อยู่ที่ 8% หมายความว่าส่วนแบ่งตลาดตามรายได้เพิ่มขึ้น 2 จุดเปอร์เซ็นต์ภายในเวลาเพียงไตรมาสเดียว

การเข้าจดทะเบียนในตลาดหลักทรัพย์และการระดมทุนของ CXMT ก็เป็นอีกปัจจัยแวดล้อมสำคัญ ตลาดหลักทรัพย์เซี่ยงไฮ้และสำนักข่าวซินหัวรายงานว่า CXMT ได้รับความสนใจจากตลาดผ่านการเสนอขายหุ้นในเดือนกรกฎาคม 2026 โดยเงินที่ระดมได้ส่วนใหญ่นำไปใช้อัปเกรดสายการผลิตดีแรมเดิมและการวิจัยพัฒนาดีแรม ก่อนหน้านี้ โทเคนโพสต์เคยรายงานเกี่ยวกับการเข้าจดทะเบียนและข้อถกเถียงเรื่องมูลค่ากิจการของ CXMTมาแล้ว

ความพยายามพึ่งพาตนเองของอุตสาหกรรมหน่วยความจำจีนเกิดขึ้นควบคู่กับมาตรการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ สำนักงานอุตสาหกรรมและความมั่นคง กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ (BIS) ปรับปรุงนโยบายการพิจารณาอนุญาตส่งออกเซมิคอนดักเตอร์ไปยังจีนเมื่อวันที่ 13 มกราคม โดยระบุว่าจะพิจารณาคำขออนุญาตส่งออกชิปอย่างเอ็นวิเดีย(Nvidia) H200 และเอเอ็มดี(AMD) MI325X รวมถึงชิปที่มีสมรรถนะใกล้เคียงกัน เป็นรายกรณี เมื่อผ่านเงื่อนไขด้านความปลอดภัยที่กำหนดไว้

มาตรการควบคุมเช่นนี้ยิ่งเพิ่มแรงกดดันให้ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์จีนต้องแก้ปัญหาด้านอุปกรณ์และกระบวนการผลิตด้วยตนเองมากขึ้น การผลิตหน่วยความจำขั้นสูงต้องอาศัยอุปกรณ์หลายประเภทร่วมกัน ทั้งการฉายแสง (lithography) การกัดกรด การสะสมชั้นฟิล์ม การวัดผล และการบรรจุภัณฑ์ ความก้าวหน้าของอุปกรณ์เพียงประเภทเดียวจึงไม่อาจการันตีความสามารถแข่งขันในการผลิตเชิงพาณิชย์ได้ทั้งหมด แต่การลดคอขวดด้านอุปกรณ์ก็ยังถือเป็น ‘ภารกิจหลัก’ ของการพึ่งพาตนเองในห่วงโซ่อุปทาน

สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศอื่น ๆ ประเด็นนี้อาจนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงโครงสร้างการแข่งขัน ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์และเอสเค ไฮนิกซ์ยังคงครองส่วนแบ่งรายได้ดีแรมทั่วโลกในสัดส่วนสูง การที่ CXMT ขึ้นมาอยู่ที่ส่วนแบ่ง 10% เป็นตัวเลขที่ได้รับการยืนยันแล้ว แต่การเปลี่ยนผ่านไปสู่ดีแรม 3 มิติ ยังต้องผ่านการเปิดเผยเทคโนโลยี การยอมรับจากลูกค้า และการพิสูจน์อัตราผลผลิตก่อนจึงจะสรุปได้

ปฏิกิริยาของตลาดยังแบ่งออกเป็นสองฝั่ง ทั้งฝั่งที่คาดหวังและฝั่งที่ยังไม่เชื่อมั่นเต็มที่ นักลงทุนบางกลุ่มมองว่าการขยายกำลังผลิตของผู้ผลิตจีนอาจส่งผลต่อราคาหน่วยความจำและความสามารถทำกำไรของผู้ผลิตรายเดิม ขณะที่อีกฝั่งมองว่าหากปริมาณการผลิตจริงยังไม่เพิ่มขึ้นมากพอ ผลกระทบต่อราคาก็ยังไม่ชัดเจน

หัวใจสำคัญของประเด็นนี้ คือการแยกพิจารณาระหว่าง ‘การขยายส่วนแบ่งตลาดของ CXMT’ กับ ‘คำกล่าวอ้างด้านเทคโนโลยีของนาอูรา’ ให้ชัดเจน ตัวเลขส่วนแบ่งตลาด 10% เป็นข้อมูลจากบริษัทวิจัยตลาดที่ยืนยันได้ ส่วนการเปลี่ยนผ่านสู่การผลิตดีแรม 3 มิติ ยังคงเป็นคำกล่าวอ้างทางเทคโนโลยีที่ต้องรอการตรวจสอบเปิดเผยต่อสาธารณะ โดยต้องรอดูสินค้าที่เปิดตัวจริงและข้อมูลกระบวนการผลิตเพิ่มเติม จึงจะประเมินระดับความพร้อมเชิงพาณิชย์ได้อย่างแม่นยำ