ซัมซุงปรับสาย NRD-K2 ผลิต HBM5-cHBM รับดีมานด์พุ่ง

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (Samsung Electronics) เตรียมปรับสายการผลิต NRD-K2 ให้ผลิตหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) แบบกำหนดเอง หรือ cHBM รวมถึงเบสไดของ HBM5 รุ่นถัดไป เพื่อรองรับความต้องการ HBM ที่ขยายตัวต่อเนื่อง ตามรายงานของ BlockBeats เมื่อวันที่ 14

BlockBeats รายงานเมื่อวันที่ 14 ว่า ซัมซุงมีแผนปรับและขยายสาย NRD-K2 ให้หันไปผลิตกลุ่มผลิตภัณฑ์ HBM รุ่นใหม่ โดยเพิ่มกำลังผลิตเบสไดสำหรับทั้ง cHBM และ HBM5

คูจาฮึม (Koo Ja-heum) รองประธานและหัวหน้าฝ่ายพัฒนาเทคโนโลยี กลุ่มธุรกิจฟาวน์ดรีของซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ ให้สัมภาษณ์กับห้องข่าวเซมิคอนดักเตอร์ของซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์เมื่อวันที่ 27 กรกฎาคมว่า “เบสไดของ HBM5 จะใช้กระบวนการผลิตขนาด 2 นาโนเมตรด้วยโครงสร้าง GAA และจะนำเทคโนโลยีรูเชื่อมต่อผ่านซิลิคอน (TSV) ที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นมาใช้งาน” คำกล่าวนี้สะท้อนว่าซัมซุงวางแผนยกระดับทั้งกระบวนการผลิตทรานซิสเตอร์และเทคโนโลยีเชื่อมต่อภายในชิปไปพร้อมกัน เขายังระบุว่าคาดว่าความเร็วในการทำงานของ HBM5 จะสูงกว่า HBM4E ไม่ต่ำกว่า 50%

เบสไดคือชิปโลจิกที่ทำหน้าที่เชื่อมต่อระหว่างดีแรมแบบเรียงซ้อนกับโปรเซสเซอร์ภายนอก เช่น หน่วยประมวลผลกราฟิก (GPU) และหน่วยประมวลผลกลาง (CPU) ทั้งนี้ ผลกระทบของแผนปรับและขยายสายการผลิตครั้งนี้ต่อปริมาณการผลิตจริงและกำหนดส่งมอบให้ลูกค้ายังต้องรอการยืนยันเพิ่มเติม