ข่าว 
ข้อมูลเหรียญ 
แนะนำสื่อ 
เงินทุนไหลเข้าสุทธิกองทุน 'ราวด์ฮิลล์ เมมโมรี อีทีเอฟ (Roundhill Memory ETF)' หรือ DRAM ซึ่งเป็น ETF จดทะเบียนในสหรัฐฯ ที่ลงทุนในหุ้นกลุ่มชิปหน่วยความจำ แตะระดับ 12,000 ล้านดอลลาร์ในช่วงสองเดือนที่ผ่านมา ท่ามกลางกระแสที่ชิปหน่วยความจำกลายเป็นชิ้นส่วนสำคัญของการลงทุนโครงสร้างพื้นฐานปัญญาประดิษฐ์ (AI) ทำให้กระแสเงินทุนใน ETF ที่ถือหุ้นบริษัทเกาหลีใต้อย่างซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์(Samsung Electronics) และเอสเค ไฮนิกส์(SK Hynix) ได้รับความสนใจไปด้วย
เดอะ โคเบอิสซี เลตเตอร์(The Kobeissi Letter) เปิดเผยผ่านแพลตฟอร์ม X ว่าสินทรัพย์ภายใต้การบริหาร (AUM) ของ DRAM เพิ่มขึ้น 20% ในช่วงสองเดือนที่ผ่านมา แตะระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ที่ 28,000 ล้านดอลลาร์ แม้ราคากองทุนจะลดลง 28% ในช่วงเวลาเดียวกัน แต่มีเงินทุนไหลเข้าสุทธิราว 12,000 ล้านดอลลาร์ และไหลเข้าต่อเนื่องเป็นสัปดาห์ที่ 8 ติดต่อกัน
DRAM เริ่มซื้อขายวันที่ 2 เมษายน โดยราวด์ฮิลล์ระบุในหนังสือชี้ชวนผลิตภัณฑ์ว่ากองทุนนี้ลงทุนในบริษัทที่เกี่ยวข้องกับชิปหน่วยความจำ ทั้ง HBM, DRAM, NAND และ SSD ข้อมูล ณ วันที่ 30 มิถุนายน ระบุหุ้นหลักที่ถือครอง ได้แก่ ไมครอน(Micron), ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์, เอสเค ไฮนิกส์, แซนดิสก์(SanDisk) และคิออกเซีย(Kioxia)
DRAM ไม่ได้ลงทุนในดัชนีเซมิคอนดักเตอร์ของสหรัฐฯ ทั้งหมด แต่เจาะจงลงทุนในบริษัทที่เกี่ยวข้องกับชิปหน่วยความจำอย่าง HBM, DRAM, NAND และ SSD เท่านั้น มีการประเมินว่าโครงสร้างเช่นนี้เชื่อมโยงกับความต้องการ HBM และหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์โดยตรงมากกว่าชิปเซมิคอนดักเตอร์ทั่วไป
อย่างไรก็ตาม กระแสเงินทุนไหลเข้ากับทิศทางราคาไม่ได้เคลื่อนไหวไปในทางเดียวกันเสมอไป จากข้อมูลของเดอะ โคเบอิสซี เลตเตอร์ DRAM มีเงินทุนไหลเข้าสุทธิในช่วงสองเดือนที่ผ่านมา แต่ราคากลับลดลง 28% สะท้อนว่าเพียงแค่มีเงินไหลเข้า ETF ไม่ได้เป็นเครื่องยืนยันทิศทางของหุ้นอ้างอิงหรือราคากองทุนเสมอไป
นับตั้งแต่จดทะเบียน DRAM มีเงินทุนไหลเข้าสะสมรวม 27,000 ล้านดอลลาร์ และราคาปรับขึ้นสะสม 98% ก่อนหน้านี้ โทเคนโพสต์(TokenPost) เคยรายงานกระแสเงินทุนไหลเข้าสุทธิ 26,600 ล้านดอลลาร์ในปีนี้เข้าสู่ ETF หน่วยความจำสหรัฐฯ ที่ถือหุ้นซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์และเอสเค ไฮนิกส์มาแล้ว
ผลิตภัณฑ์ ETF แบบเลเวอเรจก็เพิ่มขึ้นเช่นกัน โดยราวด์ฮิลล์เปิดตัว 'ราวด์ฮิลล์ ที-เร็กซ์ 2X ลอง DRAM เดลี ทาร์เก็ต อีทีเอฟ (Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF)' หรือ RAM เมื่อวันที่ 24 มิถุนายน ซึ่งออกแบบมาเพื่อให้ผลตอบแทนรายวันเป็น 2 เท่าของ DRAM เดอะ โคเบอิสซี เลตเตอร์ระบุว่า RAM มีเงินทุนไหลเข้าแล้วราว 893 ล้านดอลลาร์นับตั้งแต่เปิดตัว
ETF แบบเลเวอเรจมีลักษณะแตกต่างจาก ETF ทั่วไป ราวด์ฮิลล์ระบุในหนังสือชี้ชวนของ RAM ว่าแม้เป้าหมายคือผลตอบแทน 2 เท่าในระดับรายวัน แต่ผลตอบแทนในช่วงเวลาที่ยาวกว่าหนึ่งวันอาจแตกต่างจาก 2 เท่าของผลตอบแทน DRAM ได้ และยิ่งความผันผวนสูงขึ้น ผลของการทบต้น (Compounding) ก็จะยิ่งมากขึ้น ซึ่งอาจทำให้ขาดทุนได้แม้ ETF อ้างอิงจะเคลื่อนไหวในกรอบแคบ
กระแสเงินทุนครั้งนี้อาจถูกตีความได้ว่าเป็นส่วนหนึ่งของความสนใจที่มีต่อผลิตภัณฑ์เกี่ยวกับชิปหน่วยความจำในกระแสการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI ทว่าทั้ง DRAM และ RAM ต่างเป็นผลิตภัณฑ์ที่เพิ่งเปิดตัวไม่นาน และภาวะตลาดหน่วยความจำยังมีความอ่อนไหวต่อการเปลี่ยนแปลงของราคา อุปสงค์ และอุปทานอยู่มาก
ความคิดเห็น 0