ข่าว 
ข้อมูลเหรียญ 
แนะนำสื่อ 
ซัมซุง (Samsung) เปิดเผยแผนพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM ออกเป็น 3 ขั้นตอน โดยขั้นสุดท้ายจะพัฒนาไปสู่โครงสร้างที่เรียกว่า 'zHBM' ซึ่งวางดีแรม (DRAM) ซ้อนตรงบนชิปประมวลผลโดยไม่ผ่านตัวกลางอย่างที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน
Wall Street CN (华尔街见闻) สื่อการเงินจีน รายงานว่า ฮัน ซังอุก (Sangwook Han) จากทีมออกแบบดีแรมของซัมซุง เปิดเผยแผนพัฒนา HBM ดังกล่าวในงานประชุมเทคโนโลยี Hot Chips เมื่อเร็ว ๆ นี้ (เวลาท้องถิ่น) ตามรายงานระบุว่าโครงสร้าง zHBM จะซ้อนดีแรมในแนวตั้งบนชิปประมวลผลอย่างจีพียู (GPU) และทีพียู (TPU) โดยตัดตัวเชื่อมต่อแบบ 2.5D อินเตอร์โพเซอร์ (interposer) ที่ใช้กันอยู่ในโครงสร้างปัจจุบันออกไป
Wall Street CN ระบุว่า ฝ่ายซัมซุงชี้แจงว่าโครงสร้าง zHBM สามารถลดการใช้พลังงานได้ 70% เมื่อเทียบกับมาตรฐาน HBM4E และเพิ่มแบนด์วิดท์ของดีแรมได้ถึง 230% พร้อมระบุว่าโครงสร้างนี้ยังช่วยประหยัดพลังงานได้ 100 วัตต์ (W) ต่อหนึ่งโมดูลดีแรม และเปิด 'พื้นที่พลังงานสำรอง' เพิ่มอีก 8.3% ให้กับจีพียู ตามคำชี้แจงที่ Wall Street CN นำมารายงาน
ความคิดเห็น 0