10–20 ล้านล้านวอนต่อบริษัท ซัมซุง-เอสเค ไฮนิกซ์สั่งเครื่อง EUV รับมอบปี 2027 ตามรายงาน

ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์(Samsung Electronics, 005930) และเอสเค ไฮนิกซ์(SK hynix, 000660) มีรายงานว่าจะลงทุนบริษัทละ 10–20 ล้านล้านวอนเพื่อจัดหาเครื่องฉายแสง EUV จาก ASML และทยอยรับมอบตั้งแต่ปี 2027

ChosunBiz รายงานเมื่อวันที่ 8 พ.ย. ถึงขนาดคำสั่งซื้อและกำหนดส่งมอบของทั้งสองบริษัท โดยตัวเลขลงทุน 10–20 ล้านล้านวอนต่อบริษัทเป็นวงเงินที่มีรายงาน และต้องแยกจากยอดซื้อของเอสเค ไฮนิกซ์ที่ยืนยันได้จากการเปิดเผยข้อมูล

เอสเค ไฮนิกซ์ประกาศเมื่อเดือนมีนาคมที่ผ่านมาว่าจะซื้อเครื่อง EUV จาก ASML มูลค่าราว 11.95 ล้านล้านวอน TokenPost รายงานเรื่องขนาดคำสั่งซื้อและกำหนดส่งมอบในเวลานั้น

มีรายงานว่าระยะเวลารอส่งมอบอุปกรณ์สำคัญยาวขึ้นสูงสุดเป็นสองเท่าจากเดิม ทั้งสองบริษัทกำลังพิจารณาออกคำสั่งซื้อให้เร็วขึ้นและสั่งซื้อเพิ่มเติม

มีรายงานว่าซัมซุงดำเนินการสั่งซื้อเครื่องฉายแสงสำหรับไลน์ 5 (P5) ที่วิทยาเขตพย็องแท็กแล้ว ส่วนคำสั่งซื้อเพิ่มเติมยังอยู่ในขั้นพิจารณาหรือวางแผน และยังไม่ใช่ปริมาณที่ยืนยันแล้ว

ChosunBiz รายงานเมื่อวันที่ 8 พ.ย. โดยอ้างการคาดการณ์ของภาคอุตสาหกรรมว่า ห้องคลีนรูมระยะที่ 1 ของ P5 จะแล้วเสร็จในครึ่งแรกของปี 2027 และเริ่มนำเครื่องจักรเข้าไลน์ โดยกำหนดนำเข้าอุปกรณ์เชื่อมโยงกับแผนก่อสร้างห้องคลีนรูม

ASML ระบุในเอกสารผลประกอบการไตรมาส 3 ที่เผยแพร่เมื่อวันที่ 14 ต.ค. ว่า ตามแผนปัจจุบัน ปริมาณจัดส่งในปี 2027–2028 อาจไม่เพียงพอต่อความต้องการของลูกค้าทั้งหมด แนวโน้มอุปทานเครื่องจักรที่ตึงตัวเป็นปัจจัยเบื้องหลังการแข่งขันจัดหา EUV ที่ดำเนินต่อเนื่องในกลุ่มผู้ผลิตหน่วยความจำ

ASML ระบุในเอกสารเดียวกันว่ามีแผนเพิ่มกำลังผลิตเครื่อง EUV ค่า NA ต่ำและเครื่อง DUV แบบ immersion ในปี 2027 ขึ้น 30% จากปี 2026 ส่วนการขยายกำลังผลิตเพิ่มเติมในปี 2028 ยังอยู่ระหว่างพิจารณา

EUV เป็นเทคโนโลยีฉายแสงที่ใช้แสงความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตรสลักวงจรลงบนเวเฟอร์ ช่วยลดจำนวนขั้นตอนที่ต้องพิมพ์ลวดลายวงจรแยกกันหลายครั้ง

ใน DRAM 1c ซึ่งเป็นกระบวนการระดับ 10 นาโนเมตรรุ่นที่ 6 มีการเพิ่มชั้นกระบวนการที่ใช้ EUV เมื่อระยะห่างระหว่างวงจรแคบลงในการผลิต DRAM ขั้นสูง การจัดหาเครื่องจักรและช่วงเวลาที่นำเข้าไลน์ผลิตจึงมีความสำคัญ

คำสั่งซื้อที่เป็นข่าวครั้งนี้เกี่ยวข้องกับการจัดหาเครื่อง EUV รุ่นที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน และแยกจากแผนนำ EUV รุ่น High-NA มาใช้ในการผลิตจำนวนมาก

เมื่อเดือนก.ย. ซัมซุงขยายความร่วมมือกับ ASML พร้อมตั้งเป้านำ EUV รุ่น High-NA มาใช้ในการผลิต DRAM จำนวนมากภายในปี 2028 TokenPost รายงานแผนการใช้ใน DRAM ปี 2028 ของซัมซุง

คำสั่งซื้ออุปกรณ์ขั้นตอนหลังการผลิตก็สะสมเพิ่มขึ้นเช่นกัน มีรายงานว่าฮันมี เซมิคอนดักเตอร์(Hanmi Semiconductor, 042700) และ Amkor มียอดคำสั่งซื้อค้างส่งเทียบเท่าการผลิต 2–3 ปี โดยอุปกรณ์ที่อยู่ในแผนเพิ่มกำลังผลิตมีเครื่อง TC bonder รวมอยู่ด้วย

TC bonder เป็นเครื่องจักรที่เชื่อมชิปเซมิคอนดักเตอร์เข้าด้วยกันโดยใช้ความร้อนและแรงกด ขณะที่เครื่องฉายแสงใช้ในขั้นตอนการผลิตส่วนหน้าเพื่อสร้างวงจรบนเวเฟอร์ ส่วน TC bonder ใช้ในขั้นตอนหลังการผลิตเพื่อเชื่อมต่อชิป