ข่าว 
ข้อมูลเหรียญ 
แนะนำสื่อ 
ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ (Samsung Electronics) วางแผนนำเครื่องฉายแสง EUV แบบรูรับแสงสูง หรือ High-NA EUV มาใช้ในกระบวนการผลิตดีแรม(DRAM) ความหนาแน่นสูงระดับแมสโปรดักชันภายในปี 2028 พร้อมเข้าร่วมความร่วมมือระดับอุตสาหกรรมเพื่อเปลี่ยนโฟโต้มาสก์จากขนาด 6 นิ้วที่เป็นมาตรฐานเดิม ไปสู่ขนาด 12 นิ้ว
ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ระบุเมื่อวันที่ 8 (เวลาท้องถิ่น) ว่าบริษัทได้ขยายความร่วมมือด้านเทคโนโลยีการผลิตเซมิคอนดักเตอร์รุ่นถัดไปกับ ASML โดยตั้งเป้าปี 2028 เป็นจุดเริ่มผลิตดีแรมด้วย High-NA EUV ในระดับแมสโปรดักชัน และวางเป้าหมายเป็นผู้ผลิตรายแรกของอุตสาหกรรมที่นำเทคโนโลยีนี้มาใช้จริง
ความร่วมมือครั้งนี้ครอบคลุมทั้งกระบวนการผลิตเมมโมรีและฟาวน์ดรี ทั้งนี้ แผนปี 2028 ของซัมซุงยังไม่ใช่ผลการผลิตจริงที่ยืนยันแล้ว แต่เป็นเป้าหมายที่ต้องผ่านการติดตั้งเครื่องจักรและการตรวจสอบกระบวนการผลิตให้เสร็จสมบูรณ์ก่อน
High-NA EUV คือเทคโนโลยีการฉายแสงเหนือรังสีอัลตราไวโอเลตรุ่นใหม่ ที่ใช้ค่ารูรับแสง(NA)สูงกว่าเครื่อง EUV ทั่วไป โดย ASML ระบุว่าแพลตฟอร์ม EXE ของบริษัทมีค่า NA อยู่ที่ 0.55 สูงกว่าเครื่อง EUV รุ่นเดิมที่ 0.33
ASML อธิบายว่า High-NA EUV สามารถสร้างความละเอียดระดับ 8 นาโนเมตร และรองรับโหนดเมมโมรีที่มีความหนาแน่นใกล้เคียงกับลอจิกระดับ 2 นาโนเมตร พร้อมคาดว่าจะช่วยลดขั้นตอนการผลิต ลดข้อบกพร่อง และลดเวลาไซเคิลของกระบวนการผลิตลงได้
ASML ระบุว่าเครื่อง High-NA EUV สามารถรองรับการผลิตปริมาณสูงได้ตั้งแต่ช่วงปี 2025-2026 อย่างไรก็ตาม การเปลี่ยนผ่านสู่การผลิตจริงยังต้องอาศัยการติดตั้งเครื่องจักร การปรับกระบวนการให้เหมาะสม และการรักษาเสถียรภาพของอัตราผลผลิต(yield)
การเปลี่ยนโฟโต้มาสก์ขนาด 12 นิ้วที่ซัมซุงร่วมผลักดันเป็นความร่วมมือที่มุ่งเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตของ High-NA EUV โฟโต้มาสก์คือแผ่นต้นแบบที่ใช้ถ่ายโอนลวดลายวงจรลงบนเวเฟอร์ ซึ่งซัมซุงมองว่ามาสก์ขนาดใหญ่จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตในโรงงาน ลดต้นทุนการผลิตชิป และลดข้อจำกัดด้านการต่อลวดลาย(stitching)
การขยายขนาดโฟโต้มาสก์ไม่ใช่งานที่จบแค่การเปลี่ยนเครื่องจักร แต่ต้องอาศัยการพัฒนาไปพร้อมกันทั้งด้านการผลิตมาสก์ วัสดุ เครื่องจักร และการกำหนดมาตรฐานกระบวนการ ซึ่งซัมซุงระบุว่าจะเข้าร่วมสร้างระบบนิเวศดังกล่าวด้วย
ความคุ้มค่าทางเศรษฐกิจเป็น 'ตัวแปรสำคัญ' ที่จะกำหนดความเร็วในการขยายการใช้ High-NA EUV สำนักข่าวรอยเตอร์ส(Reuters)รายงานว่า บางการวิเคราะห์ชี้ว่าความคุ้มค่าทางเศรษฐกิจของการเปลี่ยนผ่านขนาดใหญ่อาจเกิดขึ้นจริงราวปี 2030-2031 ขณะที่ ASML เตรียมระบบการผลิตให้ได้ปีละ 20 เครื่องภายในปี 2028
ราคาต่อเครื่องของ High-NA EUV อยู่ที่ราว 350-400 ล้านดอลลาร์สหรัฐ(ประมาณ 4.708-5.38 แสนล้านวอน) ASML ระบุว่ามียอดสั่งซื้อเครื่อง High-NA EUV แล้ว 10-20 เครื่อง แต่ไม่ได้เปิดเผยปริมาณการนำไปใช้จริงของลูกค้าแต่ละราย
เอสเค ไฮนิกส์(SK Hynix)ก็ประกาศแผนนำ High-NA EUV มาใช้ในการผลิตดีแรมภายในปี 2028 เช่นกัน และอยู่ระหว่างพิจารณาเข้าร่วมกลุ่มความร่วมมือด้านการเปลี่ยนโฟโต้มาสก์ขนาด 12 นิ้ว สะท้อนว่าบริษัทกำลังผลักดันการใช้เทคโนโลยีนี้ในกระบวนการเมมโมรีช่วงเวลาใกล้เคียงกับซัมซุง
ด้าน TSMC และ ASML ประกาศความร่วมมือแยกต่างหากสำหรับการเปลี่ยนไปใช้โฟโต้มาสก์ขนาดใหญ่ 12 นิ้ว โดยทั้งสองบริษัทวางกำหนดสร้างสายการผลิตนำร่อง(pilot line)ในปี 2031 และเตรียมระบบนิเวศการฉายแสงให้พร้อมสำหรับการผลิตโหนดขั้นสูงในปี 2033 ขณะที่ TSMC ระบุว่าจะเริ่มใช้ High-NA EUV ในกระบวนการผลิตขั้นสูงตั้งแต่ปี 2030
ขอบเขตการแข่งขันในอุตสาหกรรมเมมโมรีกำลังขยายจากการแย่งชิงเครื่องฉายแสง ไปสู่การแข่งขันด้านโฟโต้มาสก์และการตรวจสอบอัตราผลผลิต สอดคล้องกับรายงานก่อนหน้านี้ของ TokenPost เกี่ยวกับการขยายคำสั่งซื้อเครื่องจักรของลูกค้า ASML ที่สะท้อนว่าการลงทุนด้าน AI กำลังส่งผลต่อการเปลี่ยนเครื่องจักรและกระบวนการผลิตทั้งฝั่งลอจิกขั้นสูงและเมมโมรี
กำหนดการล่าสุดของซัมซุงถือว่าเร็วขึ้นกว่าที่เคยมีการคาดการณ์ไว้ก่อนหน้านี้ รายงานในอดีตเคยประเมินว่าซัมซุงจะนำ High-NA EUV มาใช้ในช่วงปี 2029-2030 แต่การประกาศอย่างเป็นทางการครั้งนี้ระบุแผนนำมาใช้ภายในปี 2028
ขอบเขตการผลิตจริงและจำนวนเครื่องจักรที่ซัมซุงและเอสเค ไฮนิกส์จะนำมาใช้ยังไม่ได้รับการเปิดเผย โดยซัมซุงเดินหน้าสู่เป้าหมายใช้ในการผลิตดีแรมปี 2028 ขณะที่ TSMC และ ASML เตรียมสายการผลิตนำร่องโฟโต้มาสก์ 12 นิ้วในปี 2031 และเตรียมพร้อมสำหรับการผลิตโหนดขั้นสูงในปี 2033
ความคิดเห็น 0